技術領域

本發明涉及一種拋光墊及吸附方法，尤其是一種晶片拋光用拋光墊及拋光墊的自吸附方法，屬于化學機械拋光的技術領域。

背景技術

化學機械拋光（CMP）技術是晶片表面加工的關鍵技術之一，在大尺寸裸晶片（如太陽能電池用超薄硅單晶片）、集成電路用超薄硅單晶片、LED用藍寶石襯底晶片等的表面拋光工藝中得到廣泛應用。

拋光可以改善晶片表面的粗糙度，降低晶片的TTV，在晶片表面實現超高的平整度，對于一些光學用晶片還能提高其對光的利用率。例如，在集成電路的制造過程中，硅晶圓基片上往往構建了成千上萬的結構單元，這些結構單元通過多層金屬互聯進一步形成功能性電路的器件。在多層金屬互聯結構中，金屬導線之間填充介質層，隨著集成電路技術的發展，金屬線寬越來越小，布線層數越來越多，此時利用CMP工藝對晶片表面的介質層進行平坦化處理可以有助于多層線路的制作，且能防止將電介質層涂覆在不平表面上引起的畸變。

化學機械拋光的過程主要是通過拋光墊、拋光液和任選地化學試劑的作用從晶片去除材料的過程，其中拋光墊和拋光液是CMP工藝中主要的耗材。拋光墊（polishingpad）具有儲存、運輸拋光液、去除加工殘余物質、傳遞機械載荷及維持拋光環境等功能，拋光墊的使用壽命嚴重影響CMP的成本。典型的拋光墊材質分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊等，其表面有一層多孔層，該層的暴露表面包含開孔，其可在CMP過程中存儲拋光液并捕獲由廢拋光漿料組成的磨粉漿和從晶片去除的材料。

拋光墊要固定在拋光大盤上才能使其在高速的拋光旋轉過程中不被弄翹曲，因此，目前拋光墊除了聚氨酯材料做成的拋光層和防水層外，在最下面跟拋光大盤接觸的地方還必須加一層壓敏膠層，這樣在使用拋光墊的時候可以通過壓敏膠把拋光墊粘在大盤上，使其能牢固且平坦。但使用壓敏膠的拋光墊在使用的時候，需要拋光墊平鋪在拋光大盤上，然后通過壓力使壓敏膠產生粘性，從而將拋光墊永久的黏在拋光大盤上，有時候還需要加熱，并且粘上后，還要有一段時間的空置時間，比較麻煩。而在更換的時候要把拋光墊從拋光大盤上撕下來，壓敏膠有時候會在大盤上產生殘留，這時候就不得不對殘留的膠進行清理，增加了工作量和機臺的空置時間，還有可能永久損傷拋光大盤。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種晶片拋光用拋光墊及拋光墊的自吸附方法，其結構緊湊，實現拋光墊體與拋光大盤的有效連接固定，更換方便，有效減少對拋光大盤的損傷概率，提高拋光效率，適應范圍廣，安全可靠。

按照本發明提供的技術方案，所述晶片拋光用拋光墊，包括拋光墊體；其特征是：所述拋光墊體上設置具有吸附能力的吸附體，拋光墊體能通過吸附體與拋光大盤固定連接。

所述吸附體包括真空吸附膠膜，所述真空吸附膠膜與拋光墊體固定成一體或通過膠膜粘附層與拋光墊體連接。

所述真空吸附膠膜上設有若干吸附凹槽，真空吸附膠膜的厚度為100μm~5mm。

所述吸附體包括磁力吸附膜，所述磁力吸附膜的厚度為100μm~1cm。

所述磁力吸附膜包括用于與拋光墊體固定連接的磁力吸附上膜以及能與所述磁力吸附上膜相互吸附的磁力吸附下膜，所述磁力吸附下膜真空吸附或膠粘在拋光大盤上，所述磁力吸附上膜與拋光墊體固定成一體或通過磁力膜粘附層與拋光墊體連接。

所述吸附體包括絨毛吸附上膜以及與所述絨毛吸附上膜相對應的絨毛吸附下膜，所述絨毛吸附上膜固定在拋光墊體上，絨毛吸附下膜固定在拋光大盤上，在絨毛吸附上膜上設置上層絨毛，絨毛吸附下膜上設置于上層絨毛匹配的下層絨毛，絨毛吸附上膜與絨毛吸附下膜間通過上層絨毛與下層絨毛間相互接觸產生的橫向剪切力緊密連接。

所述上層絨毛、下層絨毛的高度為10μm~1mm，上層絨毛、下層絨毛的材料包括有機纖維或聚酯。

所述吸附體包括磨砂吸附上膜以及與所述磨砂吸附上膜相對應的磨砂吸附下膜，所述磨砂吸附上膜固定在拋光墊體上，磨砂吸附下膜固定在拋光大盤上；在磨砂吸附上膜上設置上層磨砂，在磨砂吸附下膜上設置與上層磨砂匹配的下層磨砂，所述磨砂吸附上膜與磨砂吸附下膜間通過上層磨砂與下層磨砂間的相互接觸緊密連接。

一種晶片拋光用拋光墊的自吸附方法，在拋光墊體上設置具有吸附能力的吸附體，拋光墊體能通過吸附體與拋光大盤固定連接。

所述吸附體包括真空吸附膠膜，所述真空吸附膠膜與拋光墊體固定成一體或通過膠膜粘附層與拋光墊體連接；