[發明專利]一種減小DRAM節電模式下靜態功耗的電路及方法有效
| 申請號： | 201610028544.8 | 申請日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105702280B | 公開（公告）日： | 2018-08-21 |
| 發明（設計）人： | 賈雪絨 | 申請（專利權）人： | 西安紫光國芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/4074 | 分類號： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減小 dram 節電 模式 靜態 功耗 電路 方法 | ||
1.一種減小DRAM節電模式下靜態功耗的電路，其特征在于，包括DRAM內部供電電壓產生器和模式控制電路；
所述DRAM內部供電電壓產生器用于產生DRAM工作的電壓；
所述模式控制電路用于：在DRAM芯片正常工作時，將DRAM內部供電電壓產生器產生的工作電壓直接傳送給DRAM內部供電電壓網絡；在DRAM芯片處于節電模式時，將DRAM內部供電電壓產生器產生的工作電壓降壓后傳送給DRAM內部供電電壓網絡；
所述模式控制電路包括開關S1、開關S2、PMOS管以及整體控制電路；
DRAM內部供電電壓產生器的輸出端分成兩路，一路通過開關S1連接DRAM內部供電電壓網絡，另一路通過串聯的開關S2和PMOS管連接DRAM內部供電電壓網絡；
整體控制電路用于在DRAM芯片處于節電模式時產生節電模式控制信號控制開關S1斷開、開關S2閉合；以及，在DRAM芯片處于非節電模式時產生非節電模式控制信號開關S1閉合、開關S2斷開；
DRAM芯片處于節電模式時，DRAM內部供電電壓產生器產生的電壓經過一個PMOS管降壓后傳送給DRAM內部供電電壓網絡；
DRAM芯片處于節電模式時，DRAM內部供電電壓產生器產生的工作電壓降壓一個PMOS管的閾值電壓后傳送給DRAM內部供電電壓網絡。
2.根據權利要求1所述的一種減小DRAM節電模式下靜態功耗的電路，其特征在于，PMOS管的閾值電壓為300～400mv。
3.一種減小DRAM節電模式下靜態功耗的方法，其特征在于，基于權利要求1所述的一種減小DRAM節電模式下靜態功耗的電路，在DRAM芯片正常工作時，將DRAM內部供電電壓產生器產生的工作電壓直接傳送給DRAM內部供電電壓網絡；在DRAM芯片處于節電模式時，將DRAM內部供電電壓產生器產生的工作電壓降壓后傳送給DRAM內部供電電壓網絡。
4.根據權利要求3所述的一種減小DRAM節電模式下靜態功耗的方法，其特征在于，通過一個PMOS管將DRAM內部供電電壓產生器產生的工作電壓降壓。
5.根據權利要求4所述的一種減小DRAM節電模式下靜態功耗的方法，其特征在于，在DRAM芯片處于節電模式時，DRAM內部供電電壓產生器產生的工作電壓降壓一個PMOS管的閾值電壓后傳送給DRAM內部供電電壓網絡。
6.根據權利要求5所述的一種減小DRAM節電模式下靜態功耗的方法，其特征在于，PMOS管的閾值電壓為300～400mv。
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