本發明公開一種用于扇出式圓片級封裝的散熱構件及制造方法，所述構件包括若干芯片和圓形布線層，所述芯片的正面按矩陣式安置在所述布線層的背面上，所述芯片的背面和側面以及布線層未被芯片覆蓋的背面上包裹有塑封層構成扇出式圓片，所述塑封層對應芯片的背面上還通過設有成方形排列的若干盲孔設置有凸出塑封層背面的導熱銅柱。所述方法是：鍵合支撐圓片、扇出式圓片背面鉆孔、扇出式圓片背面沉積銅種子層、銅種子層表面涂光刻膠、光刻膠層曝光和顯影、扇出式圓片背面形成導熱銅柱、扇出式圓片背面去除光刻膠、扇出式圓片背面去除銅種子層、去除支撐圓片。本發明提高了扇出式圓片級封裝器件散熱效率，保證了大功率扇出式圓片級封裝器件的可靠性。

技術領域

本發明屬于半導體封裝技術領域。涉及一種半導體封裝構件，更具體是涉及一種用于扇出式圓片級封裝的散熱構件及其制造方法。

背景技術

隨著封裝技術的發展，扇出式圓片級封裝技術逐漸興起。當前，扇出式圓片級封裝通常采用一種塑封材料對芯片進行重構得到新的圓片，芯片的背面和側面均包裹于塑封材料中。然而，與制造芯片通常采用的單晶硅材料相比，塑封材料的導熱系數低，約0.61W/(m·℃)，散熱效果差，當扇出式圓片級封裝器件中包含大功率芯片時，較差的散熱效果往往會導致器件發熱嚴重，從而加速了器件的失效。因此，大大制約了大功率芯片的扇出式圓片級封裝的發展。

發明內容

本發明的目的是為了克服當前扇出式圓片級封裝技術的不足，提供一種用于扇出式圓片級封裝的散熱構件及其制備方法。

本發明是在圓片背面的塑封層內部和表面形成了導熱銅柱，利用該導熱銅柱將封裝體內部的熱量傳遞到芯片表面，從而改善了芯片散熱效果，降低了芯片內部的溫度，提高了芯片的可靠性。

為了達到上述目的，本發明采用的技術方案是：

一種用于扇出式圓片級封裝的散熱構件，包括若干芯片12和圓形布線層13，所述芯片12的正面按矩陣式安置在所述布線層13的背面上，所述芯片12的背面和側面以及所述布線層13未被所述芯片12覆蓋的背面上包裹有塑封層11構成扇出式圓片1，所述塑封層11對應芯片12的背面上還通過設有成方形排列的若干盲孔14設置有凸出塑封層11背面的導熱銅柱6。

上述所述盲孔14為錐形，錐形尖端指向芯片。

上述所述盲孔14的孔深為所述芯片12背面到所述塑封層11背面的垂直距離D少100微米，所述盲孔14的軸線之間的距離L為大于等于盲孔14最大直徑的兩倍。

上述所述導熱銅柱6凸出塑封層11背面的高度H為大于等于導熱銅柱6的直徑。

為了達到上述目的，本發明采用的另一個技術方案是：

一種用于扇出式圓片級封裝的散熱構件的制造方法，具體按照以下步驟進行：

第一步，鍵合支撐圓片：采用支撐圓片2并通過鍵合膠3將扇出式圓片1的正面與支撐圓片2的背面進行鍵合；

第二步，扇出式圓片背面鉆孔：在塑封層11對應芯片12垂直投影區域內的背面進行所述盲孔14的鉆孔加工；

第三步，扇出式圓片背面沉積銅種子層：在塑封層11的背面和盲孔14的內壁采用沉積法形成銅種子層4；

第四步，銅種子層表面涂光刻膠：在銅種子層4表面涂光刻膠層5；

第五步，光刻膠層曝光和顯影：對光刻膠層5進行曝光和顯影，形成光刻膠圖形層51，其中盲孔14對塑封層11背面垂直投影形成的圓在光刻膠圖形層51對塑封層11背面垂直投影形成的圓的內部；

第六步，扇出式圓片背面形成導熱銅柱：在盲孔14的銅種子層4表面進行電鍍，形成導熱銅柱6；

第七步，扇出式圓片背面去除光刻膠：采用化學經泡法去除銅種子層殘留層41表面的光刻膠圖形層51；