[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽能電池組件的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610014848.9 | 申請日: | 2016-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN105449050B | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許路加;蔣方丹;何廣東;金浩 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B32B37/00;B32B37/06;B32B37/10 |
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| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 組件 制備 方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池組件的制備方法,包括以下步驟:
a)對晶體硅太陽能電池片進(jìn)行加熱處理后,檢測多個(gè)晶體硅太陽能電池片的電池效率;將多個(gè)電池效率為預(yù)設(shè)電池效率取值范圍內(nèi)的晶體硅太陽能電池片進(jìn)行焊接,得到電池串;
所述加熱處理的溫度為150~300℃,所述加熱處理的時(shí)間為15~40min;
b)提供待層壓太陽能電池組件,所述待層壓太陽能電池組件包括依次相接觸的背板、第一粘結(jié)層、晶體硅太陽能電池模塊、第二粘結(jié)層和頂板;
所述晶體硅太陽能電池模塊為所述電池串;
c)所述待層壓太陽能電池組件在通電條件下進(jìn)行層壓,得到層壓后太陽能電池組件;
d)將所述層壓后太陽能電池組件進(jìn)行裝框,并安裝接線盒,得到晶體硅太陽能電池組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述通電的電流為8~20A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述層壓的溫度為120~200℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述層壓的真空度≤10-4Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述層壓的時(shí)間為10~30min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1述的制備方法,其特征在于,所述電池串由多個(gè)晶體硅太陽能電池片串聯(lián)而成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





