1.一種MOS晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底；

提供第一掩膜，依據所述第一掩膜在所述半導體襯底內進行第一類型離子注入，以在所述半導體襯底內形成阱結構；

依據所述第一掩膜在所述阱結構內進行第二類型離子注入，以在所述阱結構內形成輕摻雜區域；

提供第二掩膜，依據所述第二掩膜在對應于后續要形成阱接出區域的輕摻雜區域進行第一類型離子預注入，使得該區域內的離子摻雜類型由第二類型轉為第一類型；

提供第三掩膜，依據所述第三掩膜在所述半導體襯底內進行第二類型離子注入，以在所述半導體襯底內形成源/漏極；

依據所述第二掩膜在第一類型離子預注入區域內進行第一類型離子注入，以在所述半導體襯底內形成阱接出區域。

2.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制備方法，其特征在于：所述半導體襯底內形成有STI結構。

3.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制備方法，其特征在于：依據所述第一掩膜在所述半導體襯底內進行第一類型離子注入，以在所述半導體襯底內形成阱結構的具體方法為：

在所述半導體襯底表面涂覆第一光刻膠層，使用第一掩膜圖形化所述第一光刻膠層，以在所述第一光刻膠層內形成貫穿所述第一光刻膠層的第一開口，所述第一開口與后續要形成的阱結構的位置相對應；

依據所述第一光刻膠層在所述半導體襯底內進行第一類型離子注入，以在所述半導體襯底內形成阱結構；

去除所述第一光刻膠層。

4.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制備方法，其特征在于：在形成所述阱結構后，形成所述輕摻雜區域之前，還包括在所述半導體襯底上依次形成柵氧化層及柵多晶硅層的步驟。

5.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制備方法，其特征在于：依據所述第一掩膜在所述阱結構內進行第二類型離子注入，以在所述阱結構內形成輕摻雜區域的具體方法為：

在所述半導體襯底表面涂覆第二光刻膠層，再次使用所述第一掩膜圖形化所述第二光刻膠層，以在所述第二光刻膠層內形成貫穿所述第二光刻膠層的第二開口，所述第二開口與后續要形成的輕摻雜區域的位置相對應；

依據所述第二光刻膠層，并采用柵極自對準工藝在所述半導體襯底內進行第二類型離子注入，以在所述阱結構內形成輕摻雜區域；

去除所述第二光刻膠層。

6.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制備方法，其特征在于：依據所述第二掩膜在對應于后續要形成阱接出區域的輕摻雜區域進行第一類型離子預注入，使得該區域的離子摻雜類型由第二類型轉為第一類型的具體方法為：

在所述半導體襯底表面涂覆第三光刻膠層，使用第二掩膜圖形化所述第三光刻膠層，以在所述第三光刻膠層內形成貫穿所述第三光刻膠層的第三開口，所述第三開口與后續要形成的阱接出區域的位置相對應；

依據所述第三光刻膠層對所述半導體襯底內進行第一類型離子注入，使得對應于阱接觸區域的輕摻雜區域內的離子摻雜類型由第二類型轉為第一類型；

去除所述第三光刻膠層。

7.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制備方法，其特征在于：在將對應于后續要形成阱接出區域的輕摻雜區域的離子摻雜類型由第二類型轉為第一類型之后，形成所述源/漏極之前，還包括以下步驟：

在所述柵氧化層及所述柵多晶硅層兩側形成側墻；

在所述側墻外側及對應于后續要形成的阱接出區域上方形成互連層。

8.根據權利要求1所述的MOS晶體管的制備方法，其特征在于：依據所述第三掩膜在所述半導體襯底內進行第二類型離子注入，以在所述半導體襯底內形成源/漏極的具體方法為：

在所述半導體襯底表面涂覆第四光刻膠層，使用第三掩膜圖形化所述第四光刻膠層，以在所述第四光刻膠層內形成貫穿所述第四光刻膠層的第四開口，所述第四開口至少暴露出后續要形成源極/漏極的位置；

依據所述第四光刻膠層對所述半導體襯底內進行第二類型離子注入，以在所述半導體襯底內形成源極/漏極；

去除所述第四光刻膠層。