[發(fā)明專利]使用大規(guī)模 FET 陣列測量分析物的方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580076496.3 | 申請日： | 2015-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN107407656B | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | K.G.菲夫 | 申請（專利權(quán)）人： | 生命科技公司 |
| 主分類號： | G01N27/414 | 分類號： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周學斌;張濤 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 大規(guī)模 fet 陣列 測量 分析 方法 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包含：
第一場效應(yīng)晶體管（FET），其具有鄰近第一反應(yīng)位點的第一電極；
第二場效應(yīng)晶體管（FET），其與第一FET串聯(lián)連接，第二FET具有鄰近第二反應(yīng)位點的第二電極；
選擇晶體管，其串聯(lián)連接至第一 FET 和第二 FET，其中選擇晶體管被配置成響應(yīng)于選擇信號同時將第一FET耦合到第一輸出導(dǎo)體并將第二FET耦合到第二輸出導(dǎo)體；以及
偏置電路，其耦合到第一 FET 和第二 FET，其中所述偏置電路被配置成將電壓應(yīng)用到第一FET或第二FET中的任一個，并且同時將電流宿應(yīng)用到第一或第二FET中的另一個。
2.根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的裝置，其中來自第一輸出導(dǎo)體上獲得的第一FET或第二輸出導(dǎo)體上獲得的第二FET中的另一個的輸出信號與應(yīng)用到第一FET或第二FET中的任一個的電壓無關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的裝置，其中所述偏置電路包含至少一個電壓源和至少一個電流宿。
4.根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的裝置，其中所述偏置電路被配置成在漏致勢壘降低或穿通模式約束中的至少一個下操作第一 FET或第二FET中的任一個。
5.根據(jù)權(quán)利要求 4 所述的裝置，其中在第一 FET和第二 FET中的任一個在漏致勢壘降低或穿通模式約束下操作時，從第一FET或第二FET中的另一個獲得輸出信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的裝置，其中所述選擇晶體管被偏置于線性區(qū)和飽和區(qū)中的至少一者中，而第一 FET 在高固定電位下被偏置以誘發(fā)第一 FET 中的漏致勢壘降低。
7.根據(jù)權(quán)利要求 1 所述的裝置，其中第一FET和第二 FET 為化學敏感的場效應(yīng)晶體管 (chemFET)。
8.根據(jù)權(quán)利要求 2 所述的裝置，其中所述輸出信號基于水解事件。
9.根據(jù)權(quán)利要求 2 所述的裝置，其中所述輸出信號與所述第一FET或所述第二 FET中的另一個檢測到的核苷酸摻入事件相關(guān)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一FET和所述第二 FET中的每一個分別經(jīng)由浮動柵極被耦合到所述第一電極和所述第二電極中的每一個。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一電極和所述第二電極對離子敏感。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述輸出信號指示發(fā)生在所述第一反應(yīng)位點或所述第二反應(yīng)位點中的另一個內(nèi)的化學反應(yīng)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于生命科技公司，未經(jīng)生命科技公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201580076496.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
