[發明專利]太陽能電池用區熔單晶硅的制造方法及太陽能電池有效
| 申請號： | 201580072597.3 | 申請日： | 2015-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN107109692B | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 大塚寬之 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/0288 | 分類號： | H01L31/0288;C30B29/06;C30B13/12;H01L31/068 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艷;張永康 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 用區熔 單晶硅 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽能電池用區熔單晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：
利用切克勞斯基法，提拉摻鎵直拉單晶硅；以及，
將前述直拉單晶硅作為原料棒，以1.6氣壓以上對該原料棒進行浮區處理，由此制造區熔單晶硅，
在前述浮區處理中，使用摻雜氣體，將鎵追加摻雜到前述區熔單晶硅中，
作為前述摻雜氣體，使用有機鎵化合物及鹵化鎵化合物中的任一種。
2.如權利要求1所述的太陽能電池用區熔單晶硅的制造方法，其中，前述鎵的追加摻雜中，根據前述直拉單晶硅的鎵濃度的軸向分布，在軸向上改變前述摻雜氣體的流量和/或濃度，由此，使前述區熔單晶硅的鎵濃度的軸向分布均一化。
3.如權利要求1或2所述的太陽能電池用區熔單晶硅的制造方法，其中，在含有氬或氦的環境下進行前述浮區處理。
4.如權利要求1或2所述的太陽能電池用區熔單晶硅的制造方法，其中，將前述制造的區熔單晶硅的直徑設為150mm以上。
5.如權利要求3所述的太陽能電池用區熔單晶硅的制造方法，其中，將前述制造的區熔單晶硅的直徑設為150mm以上。
6.一種太陽能電池，其特征在于，是使用通過權利要求1或2所述的太陽能電池用區熔單晶硅的制造方法制造出來的區熔單晶硅而制造的。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
