[發(fā)明專利]具有直接出口環(huán)狀等離子體源的等離子體處理系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580066116.8 | 申請日： | 2015-11-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107004561B | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·盧博米爾斯基 | 申請（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J37/32 | 分類號(hào)： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 侯穎媖 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 直接 出口 環(huán)狀 等離子體 處理 系統(tǒng) | ||
1.一種等離子體處理系統(tǒng)，包括：
處理腔室；
等離子體源，所述等離子體源包含限定環(huán)狀的等離子體腔的等離子體產(chǎn)生阻擋件，其中：
在操作中，所述等離子體源在所述等離子體腔中產(chǎn)生等離子體；
所述等離子體產(chǎn)生阻擋件和所述等離子體腔圍繞環(huán)軸是實(shí)質(zhì)徑向?qū)ΨQ的，所述環(huán)軸限定軸向方向和徑向方向；
所述等離子體產(chǎn)生阻擋件在所述等離子體腔的第一軸向側(cè)上限定多個(gè)出口孔，其中由所述等離子體源所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)物在所述軸向方向上通過所述多個(gè)出口孔從所述等離子體腔朝所述處理腔室傳遞；以及
擴(kuò)散板，所述擴(kuò)散板安置于所述等離子體源及所述處理腔室之間，所述擴(kuò)散板限定穿過所述擴(kuò)散板的多個(gè)孔以供所述等離子體產(chǎn)物從所述等離子體腔前行進(jìn)所述處理腔室，其中所述擴(kuò)散板限定一或更多個(gè)氣體通道，所述一或更多個(gè)氣體通道向面向所述處理腔室的所述擴(kuò)散板的一側(cè)傳導(dǎo)未活化氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述等離子體源還包括平面板，所述平面板在所述第一軸向側(cè)上鄰接所述等離子體產(chǎn)生阻擋件，所述等離子體產(chǎn)生阻擋件及所述平面板實(shí)質(zhì)圍住所述等離子體腔，所述平面板限定所述多個(gè)出口孔。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體源進(jìn)一步包括電感線圈及磁心構(gòu)件，
所述電感線圈至少部分地圍繞所述磁心構(gòu)件纏繞，且
所述磁心構(gòu)件被安置于所述等離子體產(chǎn)生阻擋件附近，
使得所述電感線圈中的電流在所述磁心構(gòu)件中誘發(fā)磁通量，且所述磁心構(gòu)件中的所述磁通量在所述等離子體腔內(nèi)誘發(fā)方位電流以產(chǎn)生所述等離子體。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，所述處理腔室圍繞所述環(huán)軸是實(shí)質(zhì)徑向?qū)ΨQ的，所述多個(gè)出口孔相對于所述環(huán)軸是對稱地布置的，使得所述等離子體產(chǎn)物從所述等離子體腔朝所述處理腔室跨所述徑向方向均勻地分布。
6.一種等離子體處理系統(tǒng)，包括：
處理腔室，所述處理腔室圍繞腔室軸是實(shí)質(zhì)徑向?qū)ΨQ的，所述腔室軸限定軸向方向，所述處理腔室包括定位單一晶片以在所述處理腔室內(nèi)進(jìn)行處理并且與所述腔室軸同軸的基座；
外等離子體源，所述外等離子體源在外等離子體腔中產(chǎn)生第一等離子體，
所述外等離子體源包含限定所述外等離子體腔的內(nèi)環(huán)形和外環(huán)形的等離子體阻擋件，
所述外等離子體腔圍繞環(huán)軸是徑向?qū)ΨQ的，所述環(huán)軸與所述腔室軸重合，
所述外等離子體腔通過形成在所述外等離子體源的所述等離子體阻擋件的第一軸向側(cè)上的外出口開口與所述處理腔室流體連通，使得由所述第一等離子體所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)物在軸向方向上通過所述外出口開口從所述外等離子體腔朝所述處理腔室傳遞；
內(nèi)等離子體源，所述內(nèi)等離子體源在內(nèi)等離子體腔中產(chǎn)生第二等離子體，
所述內(nèi)等離子體源包含限定所述內(nèi)等離子體腔的內(nèi)環(huán)形和外環(huán)形的等離子體阻擋件，
所述內(nèi)等離子體腔圍繞所述環(huán)軸是徑向?qū)ΨQ的，所述環(huán)軸與所述腔室軸重合，且所述內(nèi)等離子體腔是自所述外等離子體腔徑向朝內(nèi)的，
所述內(nèi)等離子體腔通過形成在所述內(nèi)等離子體源的所述等離子體阻擋件的第一軸向側(cè)上的內(nèi)出口開口與所述處理腔室流體連通，使得由所述第二等離子體所產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)物在所述軸向方向上通過所述內(nèi)出口開口從所述內(nèi)等離子體腔朝所述處理腔室傳遞；以及
擴(kuò)散板，所述擴(kuò)散板安置于所述內(nèi)等離子體源和/或所述外等離子體源與所述處理腔室內(nèi)的處理位置之間，所述擴(kuò)散板限定穿過所述擴(kuò)散板的多個(gè)孔以供所述等離子體產(chǎn)物前行進(jìn)所述處理腔室，其中所述擴(kuò)散板限定一或更多個(gè)氣體通道，所述一或更多個(gè)氣體通道向面向所述處理腔室的所述擴(kuò)散板的一側(cè)傳導(dǎo)未活化氣體。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述外出口開口及所述內(nèi)出口開口中的至少一者是實(shí)質(zhì)在方位上連續(xù)的。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于應(yīng)用材料公司，未經(jīng)應(yīng)用材料公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201580066116.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
