1.一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu)，包括硅襯底（1）、底面RDL導(dǎo)體（2）、通過底面RDL導(dǎo)體（2）連接的待測TSV結(jié)構(gòu)、凸起（4）和測試引腳（6），待測TSV結(jié)構(gòu)由對稱分布在兩側(cè)的兩組待測硅通孔柱構(gòu)成，待測TSV結(jié)構(gòu)包括信號待測TSV結(jié)構(gòu)（3）和地待測TSV結(jié)構(gòu)（12），其特征在于：

對于二端口及多端口互聯(lián)結(jié)構(gòu)，同一側(cè)的信號待測TSV結(jié)構(gòu)（3）和地待測TSV結(jié)構(gòu)（12）中心連線的垂直平分線上布置有隔離TSV結(jié)構(gòu)，隔離TSV結(jié)構(gòu)用于隔離垂直的待測TSV結(jié)構(gòu)與水平的底面RDL導(dǎo)體（2）之間的電磁耦合，隔離TSV結(jié)構(gòu)主要由間隔布置的金屬硅通孔柱構(gòu)成，所有金屬硅通孔柱兩側(cè)對稱；隔離TSV結(jié)構(gòu)為內(nèi)側(cè)隔離TSV結(jié)構(gòu)（5）或者內(nèi)側(cè)隔離TSV結(jié)構(gòu)（5）與外側(cè)隔離TSV結(jié)構(gòu)（10）兩者的結(jié)合，內(nèi)側(cè)隔離TSV結(jié)構(gòu)（5）位于互聯(lián)內(nèi)側(cè)（5），外側(cè)隔離TSV結(jié)構(gòu)（10）位于互聯(lián)外側(cè)（10）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的硅襯底（1）上頂面設(shè)有頂部襯底絕緣層（8），硅襯底（1）下底面與底面RDL導(dǎo)體（2）之間設(shè)有底部襯底絕緣層（9），隔離TSV結(jié)構(gòu)的金屬硅通孔柱貫通硅襯底（1），不進入硅襯底（1）上、下的頂部襯底絕緣層（8）和底部襯底絕緣層（9）中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的信號待測TSV結(jié)構(gòu)（3）和地待測TSV結(jié)構(gòu)（12）中心連線中點與離待測TSV結(jié)構(gòu)最近的金屬硅通孔柱中心之間的距離大于待測TSV結(jié)構(gòu)的單個待測硅通孔柱與隔離TSV結(jié)構(gòu)的單個金屬硅通孔柱的半徑之和。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的相鄰的金屬硅通孔柱之間的間隙大于等于金屬硅通孔柱的直徑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的隔離TSV結(jié)構(gòu)的金屬硅通孔柱與襯底（1）之間設(shè)有氧化絕緣層（7）。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的隔離TSV結(jié)構(gòu)的金屬硅通孔柱采用功函數(shù)與硅接近的金屬，隔離TSV結(jié)構(gòu)與硅襯底（1）之間形成歐姆接觸層（11）。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的功函數(shù)與硅接近的金屬為金或者鉑，金屬硅通孔柱與硅襯底（1）之間形成歐姆接觸層（11）。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于去嵌入法測量硅通孔電特性的測量結(jié)構(gòu)，其特征在于：在所述隔離TSV結(jié)構(gòu)的周圍對硅襯底（1）進行重?fù)诫s，金屬硅通孔柱與硅襯底（1）之間形成歐姆接觸層（11）。