[發(fā)明專利]通過在浮區(qū)結(jié)晶單晶體生長單晶體的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510940322.9 | 申請日： | 2015-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN105714373B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | G·拉明;L·阿爾特曼紹夫爾;G·拉特尼科斯;M·默勒;F·幕莫勒 | 申請（專利權(quán)）人： | 硅電子股份公司 |
| 主分類號： | C30B13/00 | 分類號： | C30B13/00;C30B13/20 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 過曉東 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶體 單晶體生長 感應(yīng)加熱 間隔性地 靜止?fàn)顟B(tài) 反轉(zhuǎn) 生長 停留 | ||
1.通過從浮區(qū)結(jié)晶單晶體來生長單晶體的方法，所述浮區(qū)被感應(yīng)加熱以及所述結(jié)晶單晶體在旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)，且所述旋轉(zhuǎn)方向根據(jù)交替方案間隔性地反轉(zhuǎn)，所述單晶體由于所述旋轉(zhuǎn)方向的反轉(zhuǎn)而處于靜止?fàn)顟B(tài)期間的停留時間被限制到不超過60ms，
該方法進(jìn)一步包括由驅(qū)動器啟動所述單晶體的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，由此通過皮帶從驅(qū)動軸向固定所述單晶體的軸傳遞力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過根據(jù)速度分布的預(yù)設(shè)，在加速期控制所述驅(qū)動器的旋轉(zhuǎn)速度，使得所述加速期開始時，在不超過所述加速期的1/4時間段的期間，所述驅(qū)動器的旋轉(zhuǎn)速度增加不低于3000rpm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述速度分布的預(yù)設(shè)，在所述加速期的開始時，在不超過加速期的1/4時間段的期間，所述驅(qū)動器的旋轉(zhuǎn)速度的增加量高于根據(jù)所述速度分布的預(yù)設(shè)在先于所述加速期的減速期結(jié)束之前相應(yīng)時間段期間所述驅(qū)動器的旋轉(zhuǎn)速度的減少量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述浮區(qū)通過感應(yīng)加熱線圈加熱，所述感應(yīng)加熱線圈由具有單匝的扁平線圈形成，該線圈的末端重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述浮區(qū)通過所述感應(yīng)加熱圈加熱，所述感應(yīng)加熱線圈由具有單匝的扁平線圈形成且具有不超過20mm的高度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于硅電子股份公司，未經(jīng)硅電子股份公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201510940322.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 中、高頻感應(yīng)加熱設(shè)備及其導(dǎo)磁感應(yīng)加熱復(fù)合金屬板
- 感應(yīng)加熱裝置的供給電力監(jiān)視方法和供給電力監(jiān)視裝置
- 感應(yīng)加熱方法和感應(yīng)加熱裝置
- 被感應(yīng)加熱物的支承裝置
- 感應(yīng)加熱烹調(diào)器
- 感應(yīng)加熱烹調(diào)器
- 坯件的感應(yīng)加熱裝置
- 一種生產(chǎn)銅鋁合金桿用的水平連鑄上引爐
- 在感應(yīng)加熱電纜上通信的感應(yīng)加熱電力供應(yīng)器、數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)和感應(yīng)加熱系統(tǒng)
- 高頻感應(yīng)加熱系統(tǒng)
