一種像素結構，包括掃描線、第一數據線、第二數據線、主動元件、覆蓋層、共享電極層、絕緣層以及像素電極。第一數據線以及第二數據線所傳遞的信號極性不相同。覆蓋層覆蓋掃描線、第一數據線、第二數據線以及主動元件。共享電極層，位于覆蓋層上并具有第一開口以及第二開口。第一開口與主動元件至少一部份于垂直方向上重迭。第二開口與第二數據線至少一部分在垂直方向上重迭。絕緣層位于共享電極層上。像素電極位于絕緣層上且經由接觸窗與主動元件電性連接。像素電極延伸覆蓋第二開口并經由第二開口與第二數據線之間形成耦合電容。

技術領域

本發明是有關于一種像素結構，且特別是有關于一種顯示面板的像素結構及其像素陣列。

背景技術

近年來，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，以下簡稱為LTPS)液晶顯示器是目前消費性產品開發的設計主流，其主要應用為高整合度與高分辨率之中小尺寸液晶顯示器。然而，高分辨率的顯示器具有較高像素密度，因此，其儲存電容的設計也會相對變小。而在較小的儲存電容設計中，因為漏電流以及耦合效應的影響，其會造成串音噪聲(cross-talk)并帶來不良的顯示效果。為了使顯示面板具有更良好的顯示質量，如何改善現有的串音噪聲的缺點是目前極須克服的一個重要課題。

發明內容

本發明提供一種像素結構及像素陣列，可用以改善串音噪聲的缺點帶來更良好的顯示質量。

本發明的像素結構包括掃描線、第一數據線、第二數據線、主動元件、覆蓋層、共享電極層、絕緣層以及像素電極。特別是，第一數據線以及第二數據線所傳遞的信號極性不相同，且第一數據線以及第二數據線兩兩相鄰。主動元件的元件極與掃描線連接，且主動元件的源極與第一數據線連接。覆蓋層覆蓋掃描線、第一數據線、第二數據線以及主動元件。共享電極層位于覆蓋層上，其中，共享電極層具有第一開口以及第二開口。所述第一開口與主動元件至少一部分于垂直方向上重迭。所述第二開口與第二數據線至少一部分在垂直方向上重迭。絕緣層位于共享電極層上，其中，絕緣層與覆蓋層具有一接觸窗。所述接觸窗經由共享電極的第一開口暴露出主動元件的漏極。像素電極位于絕緣層上，且經由接觸窗與主動元件的漏極電性連接。所述像素電極延伸覆蓋第二開口，且像素電極經由第二開口與第二數據線之間形成耦合電容。

其中，該第一開口與該第二開口彼此分離開來。

其中，該第一開口與該第二開口連接在一起。

其中，該像素電極與該第二數據線之間的該耦合電容為A，該像素結構的總電容為為B，其中A/B大于0％且小于或等于5％。

其中，該第一數據線為第I條數據線，且該第二數據線為第I+1條數據線，其中I為正整數，以使得該第一數據線以及該第二數據線之間不存在其它數據線。

其中，該像素電極的一邊緣與該第二數據線在該垂直方向上重迭，且該像素電極的另一邊緣與該第一數據線不重迭。