[發(fā)明專利]處理模塊、處理裝置及處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510579253.3 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105428275A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山口都章;水野稔夫;小畠嚴(yán)貴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社荏原制作所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/306;B24B37/013;B24B39/06 |
| 代理公司: | 上海市華誠(chéng)律師事務(wù)所 31210 | 代理人: | 彭里 |
| 地址: | 日本東京都*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 模塊 裝置 方法 | ||
1.一種處理模塊,其通過(guò)一邊使直徑小于處理對(duì)象物的研磨墊接觸所述處理對(duì)象物,一邊使所述處理對(duì)象物與所述研磨墊相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)進(jìn)行研磨處理,該處理模塊的特征在于,包括:
狀態(tài)檢測(cè)部,其對(duì)進(jìn)行所述研磨處理之前或者所述研磨處理實(shí)施過(guò)程中的所述處理對(duì)象物的研磨處理面的狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè);以及
控制部,其根據(jù)由所述狀態(tài)檢測(cè)部檢測(cè)到的研磨處理面的狀態(tài)對(duì)處理對(duì)象物的研磨處理面的一部分的研磨處理的條件進(jìn)行控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理模塊,其特征在于,
所述狀態(tài)檢測(cè)部對(duì)處理對(duì)象物的研磨處理面的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布進(jìn)行檢測(cè),
所述控制部根據(jù)由所述狀態(tài)檢測(cè)部檢測(cè)到的研磨處理面的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布,對(duì)處理對(duì)象物的研磨處理面的一部分的研磨處理的條件進(jìn)行控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理模塊,其特征在于,
所述狀態(tài)檢測(cè)部包括對(duì)進(jìn)行所述研磨處理之前的所述處理對(duì)象物的研磨處理面的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布進(jìn)行檢測(cè)的膜厚測(cè)定器,
所述控制部根據(jù)由所述膜厚測(cè)定器檢測(cè)到的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布,使已檢測(cè)出該膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布的處理對(duì)象物的研磨處理面的一部分的研磨處理的條件不同于其他部分的研磨處理的條件。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理模塊,其特征在于,
所述狀態(tài)檢測(cè)部包括對(duì)所述研磨處理實(shí)施過(guò)程中的所述處理對(duì)象物的研磨處理面的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布進(jìn)行檢測(cè)的渦流傳感器或光學(xué)傳感器中的某一種或者這些傳感器的組合,
所述控制部根據(jù)由所述渦流傳感器或光學(xué)傳感器檢測(cè)到的膜厚分布,使已檢測(cè)出該膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布的處理對(duì)象物的研磨處理面的一部分的研磨處理的條件不同于其他部分的研磨處理的條件。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理模塊,其特征在于,
所述狀態(tài)檢測(cè)部為對(duì)在進(jìn)行所述研磨處理之后進(jìn)行過(guò)清洗處理的所述處理對(duì)象物的研磨處理面的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布進(jìn)行檢測(cè)的膜厚測(cè)定器,
所述控制部根據(jù)由所述膜厚測(cè)定器檢測(cè)到的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布,使已檢測(cè)出該膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布的處理對(duì)象物的研磨處理面的一部分再次進(jìn)行研磨處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理模塊,其特征在于,
所述狀態(tài)檢測(cè)部還包括對(duì)進(jìn)行所述研磨處理之后的所述處理對(duì)象物的研磨處理面的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布進(jìn)行檢測(cè)的膜厚測(cè)定器,
所述控制部根據(jù)由所述膜厚測(cè)定器檢測(cè)到的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布,從針對(duì)已檢測(cè)出該膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布的處理對(duì)象物的一部分的研磨處理的條件變更為已檢測(cè)出該膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布的處理對(duì)象物的后續(xù)處理對(duì)象物的一部分的研磨處理的條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理模塊,其特征在于,
還包括存儲(chǔ)有所述處理對(duì)象物的研磨處理面的預(yù)先設(shè)定好的目標(biāo)膜厚或者相當(dāng)于目標(biāo)膜厚的信號(hào)的分布的存儲(chǔ)部,
所述控制部根據(jù)由所述狀態(tài)檢測(cè)部檢測(cè)到的研磨處理面的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布與所述存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的目標(biāo)膜厚或者相當(dāng)于目標(biāo)膜厚的信號(hào)的分布的差分,對(duì)處理對(duì)象物的研磨處理面的一部分的研磨處理的條件進(jìn)行控制。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的處理模塊,其特征在于,
所述存儲(chǔ)部中預(yù)先存儲(chǔ)有針對(duì)多個(gè)研磨處理的條件中的每一個(gè)的研磨量,
所述控制部根據(jù)由所述狀態(tài)檢測(cè)部檢測(cè)到的研磨處理面的膜厚或者相當(dāng)于膜厚的信號(hào)的分布、以及所述存儲(chǔ)部中所存儲(chǔ)的針對(duì)多個(gè)研磨處理的條件中的每一個(gè)的研磨量,對(duì)處理對(duì)象物的研磨處理面的一部分的研磨處理的條件進(jìn)行控制。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理模塊,其特征在于,包括:
保持所述處理對(duì)象物的工作臺(tái);
安裝有所述研磨墊的頭部;以及
保持所述頭部的臂部,
該處理模塊通過(guò)對(duì)所述處理對(duì)象物供給處理液,使所述工作臺(tái)及所述頭部旋轉(zhuǎn),使所述研磨墊接觸所述處理對(duì)象物并擺動(dòng)所述臂部來(lái)對(duì)所述處理對(duì)象物進(jìn)行研磨處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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