[發明專利]空穴注入層以及空穴傳輸層有效

申請號：	201510426783.4	申請日：	2010-09-30
公開（公告）號：	CN105514272B	公開（公告）日：	2018-09-14
發明（設計）人：	舟生重昭;石塚健一;星陽介	申請（專利權）人：	日立化成株式會社
主分類號：	H01L51/00	分類號：	H01L51/00;C09K11/06;C08G61/12;H05B33/14;C08G65/18;C08L63/00;C08G73/02
代理公司：	北京銀龍知識產權代理有限公司 11243	代理人：	金鮮英;王未東
地址：	日本東京都千***	國省代碼：	日本;JP
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摘要：
搜索關鍵詞：	空穴注入以及傳輸
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【權利要求書】：

1.一種空穴注入層，其由有機電子用材料形成，所述有機電子用材料為至少含有離子化合物和具有空穴傳輸性單元的化合物的有機電子用材料，所述具有空穴傳輸性單元的化合物以下稱為空穴傳輸性化合物，所述離子化合物由抗衡陽離子和抗衡陰離子組成，所述抗衡陽離子包含氮陽離子，所述氮陽離子包含選自由NH₄⁺、伯氮陽離子、仲氮陽離子、叔氮陽離子和季氮陽離子組成的組中的至少一種，所述伯氮陽離子表示N⁺和3個氫原子鍵合、其他的鍵和氫以外的原子鍵合的化合物，所述仲氮陽離子表示N⁺和2個氫原子鍵合、其他的鍵和氫以外的原子鍵合的化合物，所述叔氮陽離子表示N⁺和1個氫原子鍵合、其他的鍵和氫以外的原子鍵合的化合物，所述季氮陽離子表示N⁺和氫以外的原子鍵合的化合物。

2.一種空穴傳輸層，其由有機電子用材料形成，所述有機電子用材料為至少含有離子化合物和具有空穴傳輸性單元的化合物的有機電子用材料，所述具有空穴傳輸性單元的化合物以下稱為空穴傳輸性化合物，所述離子化合物由抗衡陽離子和抗衡陰離子組成，所述抗衡陽離子包含氮陽離子，所述氮陽離子包含選自由NH₄⁺、伯氮陽離子、仲氮陽離子、叔氮陽離子和季氮陽離子組成的組中的至少一種，所述伯氮陽離子表示N⁺和3個氫原子鍵合、其他的鍵和氫以外的原子鍵合的化合物，所述仲氮陽離子表示N⁺和2個氫原子鍵合、其他的鍵和氫以外的原子鍵合的化合物，所述叔氮陽離子表示N⁺和1個氫原子鍵合、其他的鍵和氫以外的原子鍵合的化合物，所述季氮陽離子表示N⁺和氫以外的原子鍵合的化合物。

3.如權利要求1所述的空穴注入層或權利要求2所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述氮陽離子是叔氮或季氮陽離子。

4.如權利要求1所述的空穴注入層或權利要求2所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述抗衡陰離子是氟磷酸離子類、氟化烷基氟磷酸離子類、硼酸離子類和氟銻酸離子類中的任1種或2種以上。

5.如權利要求1所述的空穴注入層或權利要求2所述的空穴傳輸層，所述空穴傳輸性化合物具有選自三芳基胺、咔唑和噻吩的至少1個以上的結構。

6.如權利要求1所述的空穴注入層或權利要求2所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述空穴傳輸性化合物是包含下述通式(1a)～(7a)所表示的具有空穴傳輸性的結構單元的聚合物或低聚物，

式中，Ar₁～Ar₂₀分別獨立地表示碳原子數2～30個的芳基或雜芳基，或者取代或非取代的亞芳基、雜亞芳基；此處，芳基是指從芳香族烴中除去1個氫原子的原子團，雜芳基是指從具有雜原子的芳香族化合物中除去1個氫原子的原子團；R分別獨立地表示－R¹、－OR²、－SR³、－OCOR⁴、－COOR⁵、－SiR⁶R⁷R⁸或通式(2a)～(4a)，其中，R¹～R⁸表示氫原子、碳原子數1～22個的直鏈、環狀或支鏈烷基、或碳原子數2～30個的芳基或雜芳基；此處，亞芳基是指從芳香族烴中除去2個氫原子的原子團，雜亞芳基是指從具有雜原子的芳香族化合物中除去2個氫原子的原子團；X表示從所述R中的具有1個以上氫原子的基團中進一步除去1個氫原子的基團。