1.一種激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法，其特征在于，包括：

在靠近所述白缺陷的一角設(shè)置修補起點，在靠近所述白缺陷的所述修補起點的對角設(shè)置修補終點，使得在所述白缺陷所在平面上，以所述修補起點沿橫向延伸的直線、所述修補起點沿縱向延伸的直線、所述修補終點沿橫向延伸的直線、所述修補終點沿縱向延伸的直線圍成的區(qū)域為掃描修補區(qū)域，所述白缺陷完全位于所述掃描修補區(qū)域內(nèi)；

采用激光氣相沉積方式在所述掃描修補區(qū)域內(nèi)從所述修補起點掃描修補至所述修補終點，使所述白缺陷表面完全覆蓋修補薄膜完成所述修補；

所述掃描修補的速度為7～11μm/s，所述掃描修補的過程中激光功率為1.8～2.2mw；所述掃描修補采用的載流氣體的壓強為0.15～0.20mPa，流量比為40-60％。

2.如權(quán)利要求1所述的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法，其特征在于，所述采用激光氣相沉積方式在所述掃描修補區(qū)域內(nèi)從所述修補起點掃描修補至所述修補終點的過程包括：

從所述修補起點沿橫向掃描修補至所述掃描修補區(qū)域的另一側(cè)，在經(jīng)過的區(qū)域的表面覆蓋一層所述修補薄膜；

從所述修補起點沿縱向移動一行，沿橫向從所述掃描修補區(qū)域的一側(cè)掃描修補至所述掃描修補區(qū)域的另一側(cè)，在經(jīng)過的區(qū)域的表面覆蓋一層所述修補薄膜，重復該步驟直到掃描修補到所述修補終點。

3.如權(quán)利要求2所述的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法，其特征在于：相鄰兩行所述修補薄膜的沿縱向的重疊區(qū)域的尺寸為2～4μm。

4.如權(quán)利要求1所述的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法，其特征在于，所述采用激光氣相沉積方式在所述掃描修補區(qū)域內(nèi)從所述修補起點掃描修補至所述修補終點的過程包括：

從所述修補起點沿縱向掃描修補至所述掃描修補區(qū)域的另一側(cè)，在經(jīng)過的區(qū)域的表面覆蓋一層所述修補薄膜；

從所述修補起點沿橫向移動一列，沿縱向從所述掃描修補區(qū)域的一側(cè)掃描修補至所述掃描修補區(qū)域的另一側(cè)，在經(jīng)過的區(qū)域的表面覆蓋一層所述修補薄膜，重復該步驟直到掃描修補到所述修補終點。

5.如權(quán)利要求4所述的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法，其特征在于：相鄰兩列所述修補薄膜的沿橫向的重疊區(qū)域的尺寸為2～4μm。

6.如權(quán)利要求1所述的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法，其特征在于：所述修補起點沿縱向延伸的直線距與其相鄰的所述白缺陷的一側(cè)的距離為10～20μm，所述修補起點沿橫向延伸的直線距與其相鄰的所述白缺陷的一側(cè)的距離為5～10μm；所述修補終點沿縱向延伸的直線距與其相鄰的所述白缺陷的一側(cè)的距離為10～20μm，所述修補終點沿橫向延伸的直線距與其相鄰的所述白缺陷的一側(cè)的距離為5～10μm。

7.如權(quán)利要求1所述的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法，其特征在于：激光的照射區(qū)域為長18～24μm，寬6～9μm的區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1～7任一項所述的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法，其特征在于：所述掃描修補的過程還伴隨有抽廢氣的過程，所述抽廢氣的過程包括抽走并加熱所述廢氣使所述廢氣排放，抽走所述廢氣的流量為16～20L/min。