1.一種組合閃爍晶體，其特征在于：其包括至少一個A閃爍晶體模塊及一個B閃爍晶體模塊，所述A閃爍晶體模塊與B閃爍晶體模塊為性能不同的閃爍晶體模塊，所述A閃爍晶體模塊包括至少一個閃爍晶體A，所述B閃爍晶體模塊包括至少一個閃爍晶體B，所述閃爍晶體A的靈敏度低于所述閃爍晶體B的靈敏度，所述閃爍晶體A的光輸出高于所述閃爍晶體B的光輸出，所述B閃爍晶體模塊包括與外部硅光電倍增器件耦合的第一對接面、與第一對接面位置相對的第二對接面以及連接第一對接面及第二對接面的用以接收射線的若干個側面，若干個所述側面為所述B閃爍晶體模塊的射線入射面，至少一個所述A閃爍晶體模塊排布于B閃爍晶體模塊的射線入射面的外側。

2.根據權利要求1所述的組合閃爍晶體，其特征在于：所述A閃爍晶體模塊包括若干個，若干所述A閃爍晶體模塊分別排布于B閃爍晶體模塊的每一側面外圍，且整體上若干所述A閃爍晶體模塊圍繞所有側面從側面外圍完全包裹住B閃爍晶體模塊。

3.根據權利要求2所述的組合閃爍晶體，其特征在于：該若干個A閃爍晶體模塊相對于B閃爍晶體模塊至少在一個方向上呈對稱排布。

4.根據權利要求2所述的組合閃爍晶體，其特征在于：若干所述A閃爍晶體模塊以大于等于射線入射面面積的方式進行排布并包裹B閃爍晶體模塊。

5.根據權利要求1所述的組合閃爍晶體，其特征在于：所述A閃爍晶體模塊包括若干個，若干所述A閃爍晶體模塊分別排布于B閃爍晶體模塊的至少兩個側面外圍，且整體上若干所述A閃爍晶體模塊從側面外圍不完全包裹B閃爍晶體模塊。

6.根據權利要求5所述的組合閃爍晶體，其特征在于：該若干個A閃爍晶體模塊相對于B閃爍晶體模塊至少在一個方向上呈對稱排布。

7.根據權利要求5所述的組合閃爍晶體，其特征在于：若干所述A閃爍晶體模塊以大于等于射線入射面面積的方式進行排布并包裹B閃爍晶體模塊。

8.根據權利要求1所述的組合閃爍晶體，其特征在于：所述至少一個A閃爍晶體模塊排布于B閃爍晶體模塊其中一個側面的外側。

9.根據權利要求8所述的組合閃爍晶體，其特征在于：所述至少一個A閃爍晶體模塊排布后與射線入射面對接的面的面積大于等于射線入射面的面積。

10.根據權利要求1所述的組合閃爍晶體，其特征在于：至少一個A閃爍晶體模塊自B閃爍晶體模塊的射線入射面的相鄰處向遠離B閃爍晶體模塊的外側排布。

11.一種組合閃爍探測器，其包括硅光電倍增器件及信號處理模塊，其特征在于：所述組合閃爍探測器包括權利要求1至10任一所述的組合閃爍晶體。

12.一種輻射探測設備，其包括外殼及顯示器，其特征在于：所述輻射探測設備包括權利要求11所述的組合閃爍探測器。

13.一種組合閃爍晶體，其特征在于：其包括X種不同性能的閃爍晶體，X≥3，該X種不同性能的閃爍晶體中第一種閃爍晶體的靈敏度高于其他種閃爍晶體的靈敏度，該X種不同性能的閃爍晶體中第一種閃爍晶體的光輸出低于其他種閃爍晶體的光輸出，所有第一種閃爍晶體形成一個整體結構的B閃爍晶體模塊，所述B閃爍晶體模塊包括與外部硅光電倍增器件耦合的第一對接面、與第一對接面位置相對的第二對接面以及連接第一對接面及第二對接面的用以接收射線的若干個側面，若干所述側面為所述B閃爍晶體模塊的射線入射面，其他種閃爍晶體排布于B閃爍晶體模塊的射線入射面的外側。

14.根據權利要求13所述的組合閃爍晶體，其特征在于：所述其他種閃爍晶體相對B閃爍晶體模塊的排布方式滿足條件：沿著遠離B閃爍晶體模塊的方向，靈敏度逐漸變低，而光輸出逐漸變高。

15.根據權利要求13所述的組合閃爍晶體，其特征在于：所述其他種閃爍晶體中每種閃爍晶體為偶數個，該偶數個每種閃爍晶體以B閃爍晶體模塊為對稱點對稱排布于任意兩個對稱的B閃爍晶體模塊的射線入射面的外側。

16.根據權利要求13所述的組合閃爍晶體，其特征在于：其他種閃爍晶體分別排布于B閃爍晶體模塊的每一側面外圍，且整體上所有其他種閃爍晶體圍繞所有側面從外圍完全包裹住B閃爍晶體模塊。