公開了傳送腔室氣體凈化裝置。該傳送腔室氣體凈化裝置具有傳送腔室，該傳送腔室適于容納至少一部分的傳輸機(jī)械手，該傳送腔室包括側(cè)壁、腔室蓋及腔室底面，其中腔室蓋具有多個(gè)分散的腔室入口。多個(gè)分散的腔室入口可包括擴(kuò)散元件。可在基板上方提供層狀凈化氣體流。公開了包括多個(gè)分散的腔室入口的系統(tǒng)及方法、及其他很多方面。

相關(guān)申請

本申請要求享有于2013年9月30日提交的名稱為“TRANSFER CHAMBER GAS PURGEAPPARATUS,SYSTEMS,AND METHODS(傳送腔室氣體凈化裝置、系統(tǒng)及方法)”的美國臨時(shí)申請第61/884,637號的優(yōu)先權(quán)，為所有目的通過援引將該專利申請結(jié)合在此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子設(shè)備制造，更特定而言，涉及傳送腔室氣體供應(yīng)裝置、系統(tǒng)、及其方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)電子設(shè)備制造系統(tǒng)可包括一個(gè)或更多個(gè)處理腔室，這些腔室適于執(zhí)行任何數(shù)量的處理，這些處理諸如是脫氣、清潔及預(yù)清潔、諸如化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)或原子層沉積之類的沉積、涂布、氧化、硝化(nitration)、蝕刻(例如等離子體蝕刻)或類似者。可提供一個(gè)或更多個(gè)裝載鎖定腔室，以使得基板能夠從工廠接口進(jìn)入及離開。這些處理腔室及裝載鎖定腔室中的每個(gè)腔室可被包括于群集工具中，其中例如多個(gè)處理腔室可分散在傳送腔室四周。傳送機(jī)械手可容納在傳送腔室中，以借助一個(gè)或更多個(gè)終端受動器從各個(gè)處理腔室和裝載鎖定腔室傳輸基板及將基板傳輸至各個(gè)處理腔室及裝載鎖定腔室。通常，在傳送腔室與各個(gè)處理腔室及裝載鎖定腔室之間提供狹縫閥開口。傳送機(jī)械手的一個(gè)或更多個(gè)終端受動器(例如葉片)可通過狹縫閥開口，以放置或提取基板(例如硅晶片、玻璃板或類似物)進(jìn)或出提供于處理腔室或裝載鎖定腔室中的支撐件(例如底座或升降桿)。

一旦基板適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在處理腔室中，狹縫閥可關(guān)閉，且可開始基板的處理。作為處理的部分，由于系統(tǒng)中的移動部件的緣故可形成顆粒。如果這些微粒停在處理過的基板上，那么此舉可影響基板的質(zhì)量。為了使微粒最小化，現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)已包括機(jī)械手下方的進(jìn)入傳送腔室中的氣體入口以及亦在機(jī)械手下方的離開傳送腔室的氣體出口，以完成傳送腔室的凈化。然而，這些系統(tǒng)一般而言為無效率的。

因此，需要改善的傳送腔室氣體流動裝置、系統(tǒng)及方法。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)實(shí)施方式中，提供一種傳送腔室氣體凈化裝置。所述傳送腔室氣體凈化裝置包括適于容納至少一部分的傳送機(jī)械手的傳送腔室，所述傳送腔室至少部分地由側(cè)壁、腔室蓋及腔室底面(chamber floor)形成，所述腔室蓋具有多個(gè)分散的腔室入口。

另一方面，提供一種電子設(shè)備處理系統(tǒng)。所述電子設(shè)備處理系統(tǒng)包括至少部分地由主機(jī)外殼形成的傳送腔室，該主機(jī)外殼具有側(cè)壁、腔室蓋及腔室底面、在所述腔室蓋中的多個(gè)分散的腔室入口、以及在所述腔室底面中的多個(gè)分散的腔室出口。

另一方面，提供一種凈化傳送腔室的方法。所述方法包括提供至少部分地由腔室蓋、側(cè)壁及腔室底面形成的傳送腔室，所述傳送腔室容納至少一部分的機(jī)械手，所述機(jī)械手適于將基板傳輸至自所述傳送腔室進(jìn)出的腔室及從自所述傳送腔室進(jìn)出的腔室傳輸基板；及借助凈化氣體的流入從傳送腔室進(jìn)行凈化，所述凈化氣體是通過所述腔室蓋中的多個(gè)分散的入口流入的。

根據(jù)本發(fā)明的這些及其他方面提供很多其他特征。本發(fā)明的實(shí)施方式的其他特征及方面將從以下的詳細(xì)說明、所附權(quán)利要求書及附圖更加顯而易見。

附圖簡要說明

圖1A圖示根據(jù)實(shí)施方式的包括傳送腔室氣體凈化裝置的電子設(shè)備處理系統(tǒng)的示意頂部視圖。

圖1B圖示根據(jù)實(shí)施方式的包括傳送腔室氣體凈化裝置的電子設(shè)備處理系統(tǒng)的部分剖面?zhèn)纫晥D。

圖2圖示根據(jù)實(shí)施方式的包括擴(kuò)散元件的腔室入口的部分剖面?zhèn)纫晥D。