1.一種碳化硅半導體裝置，其特征在于，具備：

金屬層，設置在包含碳化硅的半導體基板上，并形成與所述半導體基板的歐姆接觸；以及

金屬電極層疊體，在所述金屬層上至少依次層疊鈦層和鎳層而成，

所述鎳層的殘余應力為200MPa以下。

2.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅半導體裝置，其特征在于，

所述鎳層的殘余應力為100MPa以下。

3.根據(jù)權利要求1所述的碳化硅半導體裝置，其特征在于，

在將所述鎳層的厚度記為x[nm]，將所述鎳層的成膜速度記為y[nm/秒]時，所述鎳層以滿足0.0＜y＜-0.0013x+2.0的條件形成。

4.根據(jù)權利要求3所述的碳化硅半導體裝置，其特征在于，

所述鎳層以滿足0.0＜y＜-0.0015x+1.2的條件形成。

5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的碳化硅半導體裝置，其特征在于，

所述金屬層是包含碳化鈦的硅化鎳層。

6.一種碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

第一工序，在包含碳化硅的半導體基板上形成金屬層；

第二工序，通過熱處理形成所述半導體基板與所述金屬層的歐姆接觸；以及

第三工序，在所述金屬層上至少依次層疊鈦層和鎳層而形成金屬電極層疊體，

在所述第三工序中，在將所述鎳層的厚度記為x[nm]，將所述鎳層的成膜速度記為y[nm/秒]時，以滿足0.0＜y＜-0.0013x+2.0的條件形成所述鎳層。

7.根據(jù)權利要求6所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，以滿足0.0＜y＜-0.0015x+1.2的條件形成所述鎳層。

8.根據(jù)權利要求6所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，通過蒸鍍法形成所述鎳層。

9.根據(jù)權利要求6～8中任一項所述的碳化硅半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第一工序中，在所述半導體基板上形成包含鈦和鎳的所述金屬層，

在所述第二工序中，通過熱處理使所述半導體基板和所述金屬層反應而形成包含碳化鈦的硅化鎳層，形成所述半導體基板與所述硅化鎳層的歐姆接觸。