1.一種臨界導通全負載高功率因素校正電路，包括整流橋、可控升壓電感、臨界導通功率因素校正電路、負載判斷電路、懸浮驅動電路，特征在于：輸入電網電壓與整流橋輸入端連接，整流橋輸出正端與可控升壓電感輸入端連接，可控升壓電感輸出端與臨界導通功率因素電路連接，臨界導通功率因素電路輸出電壓V_o，負載判斷電路的輸入端與臨界導通功率因素校正電路連接，負載判斷電路的輸出與懸浮驅動電路輸入連接，懸浮驅動電路的輸出與可控升壓電感控制端連接，整流橋輸出負端與懸浮驅動電路的接地端、負載判斷電路的接地端、臨界導通功率因素校正電路接地端匯接。

2.根據權利要求1所述的一種臨界導通全負載高功率因素校正電路，其特征在于：所述的可控升壓電感包括第一升壓電感L1、第二升壓電感L2、MOS管T1，第一升壓電感L1、第二升壓電感L2繞在同一磁芯上，第一升壓電感L1的非同名端、MOS管T1的漏極D與整流橋輸出正端匯接，第一升壓電感L1的同名端與第二升壓電感L2的非同名端、MOS管T1的源極S、懸浮驅動電路輸出參考地VS匯接，第二升壓電感L2的同名端與臨界導通因素校正電路的升壓二極管D1的陽極、臨界導通因素校正電路的MOS管T2的漏極D匯接，MOS管T1的柵極G與懸浮驅動電路的輸出端HO連接。

3.根據權利要求1所述的一種臨界導通全負載高功率因素校正電路，其特征在于：所述的可控升壓電感包括第一升壓電感L1、第二升壓電感L2、MOS管T1，第一升壓電感L1、第二升壓電感L2繞在同一磁芯上，第二升壓電感L2的非同名端、MOS管T1的漏極D與整流橋輸出正端匯接，第一升壓電感L1的非同名端與MOS管T1的源極S、懸浮驅動電路的輸出參考地VS匯接，第一升壓電感L1的同名端與第二升壓電感L2的同名端、臨界導通因素校正電路的升壓二極管D1的陽極匯接，MOS管T1的柵極G與懸浮驅動電路的輸出端HO連接。