技術領域

本發明涉及一種有機發光顯示器像素結構，特別涉及AM-OLED顯示器的像素補償結構的驅動電路及其驅動方法。

背景技術

有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode，OLED)由于同時具備自發光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異之特性，被認為是下一代的平面顯示器新興應用技術。

如圖1為傳統的一種2T1C的陣列OLED驅動電路，其中2T1C是指電路中包括2個薄膜晶體管(TFT)以及1個電容C；其中，一個開關薄膜晶體管T_SELCET作為地址選擇之用，另外需要一個控制亮度與灰階的驅動薄膜晶體管T_DRIVE。開關薄膜晶體管主要起開關作用，控制電容Cs的充電開關，它要求有較大的電流開關比(Ion/Ioff)，才能實現“打開”和“關斷”的功能；驅動薄膜晶體管T_DRIVE用于驅動OLED發光，它需要有較大的電流才能使OLED達到所需的亮度，因此需要有較大的載流子遷移率，一般要求載流子遷移率大于1cm²V^-1s^-1。電容Cs主要用來存儲數據信號V_DATA灰階電壓，進而控制驅動薄膜晶體管T_DRIVE對OLED的驅動電流，Vg為掃描信號，V_DATA為數據信號，V_DD為共通電極信號，V_CA為陰極。

其中，開關薄膜晶體管T_SELCET將數據信號V_DATA上的電壓傳輸到驅動薄膜晶體管T_DRIVE的柵極，該驅動管將這個數據電壓轉化為相應的電流提供給OLED。為保證通過OLED的電流穩定，驅動薄膜晶體管T_DRIVE一般工作在飽和區，在一行的掃描時間內提供恒定電流，其驅動電流可表示為：

IOLED=12μp·COX·WL·(Vdata-Vdd-Vth)2]]>

式中I_OLED是通過OLED的電流，直接控制著OLED的發光亮度，μ_p是TFT管IGZO半導體的遷移率，C_ox是柵極氧化層的單位面積電容，W是溝道寬度，L為溝道長度，V_data是數據信號電壓，V_dd是共通電極的電壓，為所用像素單元共享V_th是TFT管的閾值電壓。

由上式可知，通過OLED的電流都不僅受數據信號電壓V_data的控制，同時也受TFT閾值電壓V_th的影響。由于多個像素電路中TFT?T1的閾值電壓(V_th)特性存在差異，且隨著時間的推移，TFT的V_th也會發生漂移，各OLED像素電路的TFT不可能具備完全一致的性能參數；由此造成流過各OLED像素電路中OLED的電流不一致，導致各OLED像素電路發光亮度不同，進而導致OLED亮度均一性與亮度恒定性受影響，影響有機發光二極管顯示器的顯示效果。

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