[發明專利]微結構釋放的方法及深硅刻蝕微結構有效
| 申請號： | 201410648558.0 | 申請日： | 2014-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN105590847B | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發明（設計）人： | 劉海鷹;蔣中偉 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/3065;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微結構 釋放 方法 刻蝕 | ||
1.一種微結構釋放的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：采用刻蝕工藝在被加工工件的被加工面獲得微結構；
步驟2：在所述微結構的側壁和底部沉積保護層；
步驟3：采用各向異性刻蝕工藝去除所述微結構底部的所述保護層；
步驟4：采用各向異性刻蝕工藝刻蝕所述微結構的底部至所需深度；
步驟5：采用SF6或NF3進行各向同性干法刻蝕工藝刻蝕所述微結構的下方以釋放所述微結構。
2.根據權利要求1所述的微結構釋放的方法，其特征在于，所述步驟1包括交替進行的刻蝕步驟和沉積步驟；所述刻蝕步驟采用SF6作為工藝氣體，所述沉積步驟采用C4F8作為工藝氣體。
3.根據權利要求1所述的微結構釋放的方法，其特征在于，所述步驟2的保護層通過CXFY類氣體獲得。
4.根據權利要求1所述的微結構釋放的方法，其特征在于，所述步驟3采用CFX、CHXFY、Cl2、HBr、SF6中的一種或幾種作為刻蝕氣體進行所述各向異性刻蝕工藝。
5.根據權利要求4所述的微結構釋放的方法，其特征在于，所述步驟3采用Ar、N2、He或O2氣體作為載氣體。
6.根據權利要求1所述的微結構釋放的方法，其特征在于，所述步驟4采用SF6和O2的混合氣體或NF3和O2的混合氣體作為刻蝕氣體進行各向異性刻蝕工藝。
7.根據權利要求6所述的微結構釋放的方法，其特征在于，所述步驟4采用HBr或Cl2作為輔助刻蝕氣體，和/或采用Ar、N2、He或O2氣體作為載氣體。
8.根據權利要求1所述的微結構釋放的方法，其特征在于，所述被加工工件為硅片。
9.一種半導體微結構，包括懸浮架構和/或空腔，其特征在于，所述懸浮架構和/或空腔通過權利要求1-8任意一項所述的微結構釋放的方法獲得。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
