[發(fā)明專利]芯片拾取裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410593412.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104319251B | 公開(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜茂華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星半導(dǎo)體(中國(guó))研究開發(fā)有限公司;三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286 | 代理人: | 劉燦強(qiáng) |
| 地址: | 215021 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 拾取 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種芯片拾取裝置。
背景技術(shù)
通常,首先,通過一系列工藝(例如,雜質(zhì)離子注入和擴(kuò)散工藝、沉積工藝、蝕刻工藝及用于除去雜質(zhì)的晶片清潔工藝)在晶片的表面上形成電路圖案以構(gòu)造半導(dǎo)體器件;然后,利用切割工藝將形成在晶片上的作為半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件切割成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片;最后,通過芯片拾取裝置來拾取被切割的半導(dǎo)體芯片并貼裝到基底上進(jìn)行封裝,從而完成封裝件。
上述用于拾取被切割過的半導(dǎo)體芯片的拾取裝置包括拾取頭,在拾取過程中,拾取頭通常通過真空吸力來拾取半導(dǎo)體芯片。
然而,隨著存儲(chǔ)裝置的小型化以及存儲(chǔ)密度的提高,需要半導(dǎo)體芯片的厚度以及封裝件的厚度變得越來越小。因此,在利用芯片拾取裝置拾取半導(dǎo)體芯片的過程,如果在半導(dǎo)體芯片與拾取頭之間存在污染顆粒,則在拾取芯片過程中很容易因吸力的壓迫導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的損壞。此外,如果被拾取的半導(dǎo)體芯片的表面上存在污染顆粒,并且在半導(dǎo)體芯片封裝過程中污染顆粒位于相鄰的兩個(gè)半導(dǎo)體芯片之間,則也會(huì)容易導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的損壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種芯片拾取裝置。
根據(jù)本發(fā)明的芯片拾取裝置包括:拾取頭;高壓氣體機(jī)構(gòu),將預(yù)定壓強(qiáng)的氣體提供給拾取頭,以通過拾取頭向待拾取芯片噴吹氣體;真空機(jī)構(gòu),將預(yù)定的真空度施加到拾取頭,以通過拾取頭來拾取芯片;高度傳感器,測(cè)量拾取頭與待拾取芯片之間的距離;控制器,被構(gòu)造為根據(jù)高度傳感器測(cè)量的拾取頭與待拾取芯片之間的距離來執(zhí)行通過拾取頭噴吹氣體的操作或通過拾取頭拾取芯片的操作。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,控制器可以被構(gòu)造為根據(jù)高度傳感器測(cè)量的拾取頭與待拾取芯片之間的距離來控制高壓氣體機(jī)構(gòu)和真空機(jī)構(gòu)的開啟與關(guān)閉。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,當(dāng)拾取頭與待拾取芯片之間的距離大于預(yù)定距離時(shí),控制器可以將高壓氣體機(jī)構(gòu)開啟并可以將真空機(jī)構(gòu)關(guān)閉以將預(yù)定壓強(qiáng)的氣體提供給拾取頭,從而通過拾取頭向待拾取芯片噴吹氣體。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,當(dāng)拾取頭與待拾取芯片之間的距離小于預(yù)定距離時(shí),控制器可以將真空機(jī)構(gòu)開啟并可以將高壓氣體機(jī)構(gòu)關(guān)閉以將預(yù)定的真空度施加到拾取頭,從而通過拾取頭向待拾取芯片施加吸力。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,高壓氣體機(jī)構(gòu)可以通過高壓氣體通道與拾取頭連通,真空機(jī)構(gòu)可以通過真空通道與拾取頭連通。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,芯片拾取裝置還可以包括與拾取頭、高壓氣體機(jī)構(gòu)和真空機(jī)構(gòu)連通的電子閥門。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,當(dāng)拾取頭與待拾取芯片之間的距離大于預(yù)定距離時(shí),控制器可以控制電子閥門以開啟高壓氣體機(jī)構(gòu)與拾取頭之間的連通并關(guān)閉真空結(jié)構(gòu)與拾取頭之間的連通,將預(yù)定壓強(qiáng)的氣體提供給拾取頭,從而通過拾取頭向待拾取芯片噴吹氣體。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,當(dāng)拾取頭與待拾取芯片之間的距離小于預(yù)定距離時(shí),控制器可以控制電子閥門以開啟真空機(jī)構(gòu)與拾取頭之間的連通并關(guān)閉高壓氣體機(jī)構(gòu)與拾取頭之間的連通,將預(yù)定的真空度施加到拾取頭,從而通過拾取頭向待拾取芯片施加吸力。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,真空結(jié)構(gòu)和高壓氣體機(jī)構(gòu)可以處于常開狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例,高壓氣體機(jī)構(gòu)和真空機(jī)構(gòu)可以分別通過高壓氣體通道和真空通道與電子閥門連通。
根據(jù)本發(fā)明的芯片拾取裝置,在芯片拾取過程中通過從拾取頭噴吹出的高壓氣體將待拾取芯片表面的雜質(zhì)顆粒除去,可以防止在芯片的拾取過程中或后續(xù)的芯片堆疊過程中雜質(zhì)顆粒對(duì)芯片造成損壞。
附圖說明
通過結(jié)合附圖進(jìn)行的示例性實(shí)施例的以下描述,本發(fā)明的這些和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚和更易于理解,其中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的芯片拾取裝置的示意圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的芯片拾取裝置的示意圖;
圖3a和圖3b是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的芯片拾取裝置的操作的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖和示例性實(shí)施例詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的芯片拾取裝置。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的芯片拾取裝置的示意圖。參照?qǐng)D1,根據(jù)該示例性實(shí)施例的芯片拾取裝置可以包括拾取頭10、高壓氣體機(jī)構(gòu)20、真空機(jī)構(gòu)30、高度傳感器40和控制器(未示出)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





