[發明專利]一種事務提交的方法和裝置有效
| 申請號: | 201410579796.0 | 申請日: | 2014-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN105630695B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發明(設計)人: | 舒繼武;范捷;王元鋼 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司;清華大學 |
| 主分類號: | G06F12/06 | 分類號: | G06F12/06 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 事務 提交 方法 裝置 | ||
本發明實施例公開了一種事務提交的方法,包括:接收用于向外部存儲器提交事務關聯的M個數據塊的提交請求;其中,所述外部存儲器劃分為N個組,每個組包括1個空閑的存儲單元,M和N為整數,0<M≤N;若所述外部存儲器的每個組上待寫入的數據塊的數量均滿足小于2,獲取所述M個數據塊中每個數據塊的元數據;確定每個數據塊寫入的組,并將每個數據塊和關聯的元數據分別寫入對應的組的空閑的存儲單元中。本發明實施例還公開了一種事務提交的裝置。采用本發明,能較少數據刷寫的次數,提供事務提交的吞吐量。
技術領域
本發明涉及計算機領域,尤其涉及一種事務提交的方法和裝置。
背景技術
傳統的基于DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取存儲器,簡稱DRAM)的內存由于其在擴容能力上的限制,使其越來越成為制約系統計算性能提高的一個重要障礙。一種阻抗性存儲設備(Resistive Memory)逐步呈現出取代現有內存的趨勢。阻抗性存儲設備通過介質不同的阻抗狀態來存儲分別存儲“0”和“1”的信息。比較有代表性的阻抗性存儲設備包括——相變存儲器(PCM,Phase Change Memory)、磁性隨機存儲器(MRAM,Magnetic Random Access Memory)、自旋轉移力矩隨機存取存儲器(STT-RAM,SpinTorque Transfer Random Access Memory)等。然而,絕大多數的阻抗性存儲設備的寫性能與DRAM有較大差距和壽命也不能達到對Memory所要求的10^15的要求。另外,為了充分發揮SCM的性能特點,對SCM(Storage Class Memory,存儲級內存,簡稱SCM)中數據訪問方式與傳統的磁盤以及SSD不同,應盡量避免OS(Operation System,操作系統,簡稱OS)參與,而由應用程序自己控制和維護。
應用程序對數據的維護需要Transaction來保證其數據的一致性,在SCM上做事務Transaction對系統性能和SCM的壽命會產生較大影響。其影響主要表現在三個方面:1、維護原子性會產生的冗余寫,這些冗余寫既降低SCM壽命也影響性能。2、高并發的Transaction會導致碰撞,取消的Transaction中已經寫入SCM的數據也將作廢,對SCM的壽命也會產生影響。3、保證數據的持久性,需要穿過Cache,使用mfence指令和clflush指令分多次將數據寫入SCM中,頻繁的刷寫嚴重降低了SCM性能。
發明內容
本發明實施例所要解決的技術問題在于,提供一種事務提交的方法??山鉀Q現有技術中提交事務時數據刷寫次數過多的問題。
為了解決上述技術問題,本發明實施例提供了一種事務提交的方法,包括:
接收用于向外部存儲器提交事務關聯的M個數據塊的提交請求;其中,所述外部存儲器劃分為N個組,每個組包括1個空閑的存儲單元,M和N為整數,0<M≤N;
若所述外部存儲器的每個組上待寫入的數據塊的數量均滿足小于2,獲取所述M個數據塊中每個數據塊的元數據;
確定每個數據塊寫入的組,并將每個數據塊和關聯的元數據分別寫入對應的組的空閑的存儲單元中。
結合第一方面,在第一種可能的實現方式中,所述若所述外部存儲器的每個組上待寫入的數據塊的數量均滿足小于2,獲取所述M個數據塊中每個數據塊的元數據,還包括:
獲取版本號計數器的當前計數值;
將所述當前計數值賦予所述事務作為提交版本號,并將所述版本號計時器的當前計數值加1。
結合第一方面或第一種可能的實現方式,在第二種可能的實現方式中,所述若所述外部存儲器的每個組上待寫入的數據塊的數量均滿足小于2包括:
獲取寫入所述外部存儲器的寫操作地址;
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