[發明專利]一種提高磁控濺射矩形靶膜厚均勻性的基板偏心自轉方法有效
| 申請號： | 201410488778.1 | 申請日： | 2014-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN104233209A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發明（設計）人： | 杜曉松;趙瑾珠;郭攀;孫鳳佩;袁歡;蔣亞東 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐豐 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 磁控濺射 矩形 靶膜厚 均勻 偏心 自轉 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高磁控濺射矩形靶膜厚均勻性的基板偏心自轉方法,?矩形平面磁控濺射靶固定在真空室中，在矩形靶上有條形環狀的刻蝕環，刻蝕環的直邊長度為L，刻蝕環的兩端為兩個半圓，半圓的內外徑分別為r1和r2，圓形基板面對矩形靶放置，面間距為H，圓形基板繞其自身的中心軸自轉，其特征在于，通過調節圓形基板中心沿矩形靶短邊方向的偏心距D來調節圓形基板上所沉積薄膜的均勻性,?當(L+2r2):?2r2的比值在3~8，r1:?r2的比值在0.3~0.7范圍內時，D滿足如下條件時基板上的膜厚非均勻性在5%以內：
D?=?(0.92~1.08）×?(0.5?H?-0.067?L?+23.1)。
2.根據權利要求1所述的提高磁控濺射矩形靶膜厚均勻性的基板偏心自轉方法，其特征在于，圓形基板在直徑等于L的范圍之內膜厚非均勻性在5%以內。
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