1.一種異向性磁阻組件，包括：

基板；

內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)，位于該基板上且包括多個(gè)金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層；

磁阻材料層，位于該內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)上方，

其中該多個(gè)金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層中最上層的金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層包括一導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)，此導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)未經(jīng)導(dǎo)電性插塞而與該磁阻材料層實(shí)體連接。

2.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該磁阻材料層的上方已無(wú)任何金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)。

3.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，更包括位于該磁阻材料層上的硬屏蔽層及護(hù)層。

4.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該最上層的金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層更包括一焊墊。

5.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，更包括一與該最上層的金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層不同層的焊墊。

6.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該最上層的金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層是實(shí)質(zhì)上由銅或鎢或鋁所構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該多個(gè)內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)更包括位于該磁阻層下方的設(shè)定/重設(shè)定、補(bǔ)償及/或內(nèi)建自我測(cè)試電路。

8.如權(quán)利要求7所述的異向性磁阻組件，其中更包括一與該設(shè)定/重設(shè)定、補(bǔ)償及/或內(nèi)建自我測(cè)試電路同一層的焊墊。

9.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，更包括磁阻層上方的重布線層。

10.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，該磁阻層是實(shí)質(zhì)上由坡莫合金所構(gòu)成。

11.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，該導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)與該磁阻層的界面處的高度落差是小于500埃。

12.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，該導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)是嵌于一金屬層間介電層中且該導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)的上主要表面與該金屬層間介電層的上主要表面之間的段差是小于1000埃。

13.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該多個(gè)金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層包括多個(gè)金屬插塞層與多個(gè)金屬導(dǎo)線層，該最上層金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層為該多個(gè)金屬導(dǎo)線層中的一者而非該多個(gè)金屬插塞層中的一者。

14.如權(quán)利要求1所述的異向性磁阻組件，其中該磁阻層的正下方設(shè)有主動(dòng)組件。

15.一種異向性磁阻組件，包括：

基板；

內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)，位于該基板上且包括多個(gè)金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層；

磁阻材料層，位于該內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)上方，

其中該多個(gè)金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層中的最上層金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層包括一導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)，此導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)與該磁阻材料層實(shí)體連接且具有實(shí)質(zhì)相等的上表面與下表面尺寸。

16.一種異向性磁阻組件的制造方法，包括：

提供基板；

于該基板上方形成內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)，該內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層，該多個(gè)金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層中最上層的金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層包括一導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)；

于該內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)上方形成磁阻層以使該磁阻層未經(jīng)過(guò)導(dǎo)電插塞而實(shí)體連接該導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)。

17.如權(quán)利要求16所述的異向性磁阻組件的制造方法，更包括在形成該磁阻層之前對(duì)該最上層的金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨。

18.如權(quán)利要求17所述的異向性磁阻組件的制造方法，更包括在形成該最上層的金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層時(shí)控制下列的制程參數(shù)中的至少一者以使金屬表面的高低落差小于500埃：金屬沉積溫度、化學(xué)機(jī)械研磨液的氧化劑濃度及化學(xué)機(jī)械研磨的下壓力。

19.如權(quán)利要求17所述的異向性磁阻組件的制造方法，更包括在形成該最上層的金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)層時(shí)控制下列的制程參數(shù)中的至少一者以使該金屬層的上表面與其鄰近的介電層的上主要表面之間的段差小于1000埃：金屬沉積溫度、化學(xué)機(jī)械研磨液的氧化劑濃度及化學(xué)機(jī)械研磨的下壓力。

20.如權(quán)利要求16所述的異向性磁阻組件的制造方法，更包括形成一與該最上層金屬內(nèi)聯(lián)機(jī)不同層的金屬焊墊。

21.如權(quán)利要求16所述的異向性磁阻組件的制造方法，其中該導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)是經(jīng)由金屬鑲嵌制程所形成。

22.如權(quán)利要求16所述的異向性磁阻組件的制造方法，其中該導(dǎo)電性分流結(jié)構(gòu)是實(shí)質(zhì)上由銅或鎢所構(gòu)成。