[發明專利]基于EMCCD和CMOS的高動態星敏感器的實現方法有效
| 申請號： | 201410367119.2 | 申請日： | 2014-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN104154932B | 公開（公告）日： | 2017-01-25 |
| 發明（設計）人： | 余達;周懷得;李廣澤;劉金國;徐東;王國良;張博研 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | G01C25/00 | 分類號： | G01C25/00 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標代理事務所22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 emccd cmos 動態 敏感 實現 方法 | ||
【權利要求書】：
1.基于EMCCD和CMOS的高動態星敏感器的實現方法，其特征是，該方法由以下步驟實現：
步驟一、光學系統接收星圖信息后同時在CMOS傳感器以及在所述CMOS傳感器四角的四片EMCCD傳感器上成像，所述四片EMCCD傳感器以倍增方式高幀頻獲取高星等小視場的星圖信息，并將星圖信息傳送至圖像處理器；所述圖像處理器獲得當前四片EMCCD輸出的星圖信息從而計算出每幀在二維方向的像移量；
步驟二、所述CMOS傳感器將采集的星圖信息傳送至圖像處理器，所述圖像處理器根據步驟一中四片EMCCD輸出的星圖信息計算出每幀在二維方向像移量，通過累加在CMOS每幀攝像時間內EMCCD輸出的各幀像移量，從而獲得CMOS傳感器每幀間二維方向的像移量；
步驟三、采用外部存儲器對CMOS傳感器輸出圖像進行二維方向的TDI方式疊加，將TDI疊加后圖像進行星圖識別；獲得高精度的大視場低星等星圖圖像。
2.根據權利要求1所述的基于EMCCD和CMOS的高動態星敏感器的實現方法，其特征在于，步驟三中TDI方式疊加的具體過程為：按照幀間像移量映射不同行地址和列地址的像素信號相加，設定對應與行或列方向幀間的像移量為xμm和yμm，CMOS傳感器在二維方向的像元尺寸均為aμm，則前一幀地址(m，n)的像元與后一幀地址的像元疊加。
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