1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一化合物半導(dǎo)體膜；

層壓膜，其中層疊有第二化合物半導(dǎo)體膜和絕緣膜；以及

電極，包括第一部分和第二部分，所述第一部分嵌入在形成于所述層壓膜上的凹陷中，所述第二部分在所述第一部分與所述絕緣膜這兩者之上延伸，

其中所述第一部分包括第一嵌入部分和第二嵌入部分，所述第一嵌入部分沿所述第二部分的延伸方向具有第一長(zhǎng)度，所述第二嵌入部分被置于所述第一嵌入部分與所述凹陷的底部之間，且所述第二嵌入部分具有小于所述第一長(zhǎng)度的第二長(zhǎng)度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述凹陷抵達(dá)所述第二化合物半導(dǎo)體膜的內(nèi)部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述凹陷抵達(dá)所述第二化合物半導(dǎo)體膜的表面或停止在所述第一絕緣膜的內(nèi)部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任何一個(gè)所述的半導(dǎo)體器件，

其中絕緣層被設(shè)置在所述電極與所述層壓膜之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第二部分?jǐn)U展到所述第一部分的兩側(cè)，以及

所述第一嵌入部分?jǐn)U展到所述第二嵌入部分的兩側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述半導(dǎo)體器件是高電子遷移率晶體管，

所述第一化合物半導(dǎo)體膜是所述高電子遷移率晶體管的溝道層，

所述第二化合物半導(dǎo)體膜是所述高電子遷移率晶體管的阻擋層，

所述電極是將柵極和兩個(gè)場(chǎng)板結(jié)合于其中的電極，以及

所述延伸方向是從所述高電子遷移率晶體管的源極朝向漏極的方向。

7.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟：

形成第一化合物半導(dǎo)體膜；

在所述第一化合物半導(dǎo)體膜上形成第二化合物半導(dǎo)體膜；

在所述第二化合物半導(dǎo)體膜上形成具有第一寬度的第一凹陷區(qū)；

在其上形成有所述第一凹陷區(qū)的所述第二化合物半導(dǎo)體上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成具有大于所述第一寬度的第二寬度的第二凹陷區(qū)，從而暴露出所述第一凹陷區(qū)和所述第一凹陷區(qū)的兩側(cè)；以及

形成電極，該電極在所述第一凹陷區(qū)和所述第二凹陷區(qū)上方延伸，并位于所述第二凹陷區(qū)外側(cè)的所述絕緣膜上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制造方法，還包括以下步驟：

在包括所形成的第二凹陷區(qū)、所暴露的第一凹陷區(qū)和該第一凹陷區(qū)兩側(cè)的所述絕緣膜上連續(xù)層壓絕緣層和導(dǎo)電膜；以及

通過(guò)蝕刻所述絕緣層和所述導(dǎo)電膜形成所述電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，

所述半導(dǎo)體器件是高電子遷移率晶體管，

所述第一化合物半導(dǎo)體膜是所述高電子遷移率晶體管的溝道層，

所述第二化合物半導(dǎo)體膜是所述高電子遷移率晶體管的阻擋層，以及

所述延伸方向是從所述高電子遷移率晶體管的源極朝向漏極的方向。