技術領域

本發明關連于一種快閃存儲器裝置，特別是一種存取快閃存儲器中儲存單元的方法以及使用該方法的裝置。

背景技術

快閃存儲器(flash?memory)中的存儲單元(memory?cells)可能于多次的存取后失效。此外，亦可能于生產過程中，會因為粉塵或是光罩問題，使得儲存單元中的一整列(column)的數據都無法正確存取。因此，本發明提出一種存取快閃存儲單元的方法以及使用該方法的裝置，用以保護快閃存儲器中儲存的數據。

發明內容

本發明的實施例提出一種存取快閃存儲器中儲存單元的方法，由處理單元執行，包含下列步驟。指示儲存單元存取接口寫入第n條字符線的數據至儲存單元。于儲存單元完成寫入第n條字符線的數據后，指示儲存單元存取接口寫入第n-1條字符線的數據至儲存單元。于儲存單元完成寫入第n-1條字符線的數據后，指示儲存單元存取接口寫入第n-2條字符線的數據至儲存單元。其中，n大于2的整數。

本發明的實施例提出一種存取快閃存儲器中的儲存單元的裝置，包含儲存單元、儲存單元存取接口以及處理單元。儲存單元存取接口耦接于上述儲存單元，而處理單元耦接于儲存單元存取接口。處理單元指示儲存單元存取接口寫入第n條字符線的數據至儲存單元。處理單元于儲存單元完成寫入第n條字符線的數據后，指示儲存單元存取接口寫入第n-1條字符線的數據至儲存單元。處理單元于儲存單元完成寫入第n-1條字符線的數據后，指示儲存單元存取接口寫入第n-2條字符線的數據至儲存單元。其中，n大于2的整數。

本發明的實施例另提出一種存取快閃存儲器中儲存單元的方法，由處理單元執行，包含下列步驟。通過處理單元存取接口接收到由電子裝置發出的讀取命令及讀取地址后，判斷關聯于讀取地址的值是否尚未穩定地儲存于儲存單元中。若是，指示存儲器存取控制器從態隨機存取存儲器讀取請求的值，并且通過處理單元存取接口回復給電子裝置。

附圖說明

圖1是依據本發明實施例的快閃存儲器中的儲存單元示意圖。

圖2是依據本發明實施例的快閃存儲器的系統架構示意圖。

圖3是依據本發明實施例的快閃存儲器的存取接口示意圖。

圖4是依據本發明實施例的邏輯數據儲存示意圖。

圖5A是依據本發明實施例應用于每一區段的數據儲存示意圖。

圖5B是依據本發明實施例的二維錯誤修正碼示意圖。

圖6是依據本發明實施例的用以執行寫入作業的系統方塊圖。

圖7A及圖7B是依據本發明實施例的執行于處理單元中的數據寫入方法流程圖。

圖8是依據本發明實施例的執行于儲存單元存取接口中的數據寫入方法流程圖。

圖9是依據本發明實施例的用以執行讀取作業的系統方塊圖。

圖10是依據本發明實施例的執行于區段解碼單元中的數據讀取方法流程圖。

圖11是依據本發明實施例的執行于處理單元中的數據讀取方法流程圖。

圖12是依據本發明實施例的用以執行寫入作業的系統方塊圖。

圖13是依據本發明實施例的一個儲存單元中的三層式單元區塊的示意圖。

圖14是依據本發明實施例的執行于處理單元中的寫入方法流程圖。

圖15是依據本發明實施例的執行于處理單元中的寫入方法流程圖。

圖16A是依據本發明實施例的眾多單層式單元的臨界電壓分布示意圖。

圖16B是依據本發明實施例的眾多多層式單元的臨界電壓分布示意圖。

圖16C是依據本發明實施例的眾多三層式單元的臨界電壓分布示意圖。

圖17A至圖17C是顯示依據本發明實施例的經三次寫入操作后的一個字符線上的眾多單層式單元的臨界電壓分布示意圖。

圖18A是依據本發明實施例的使用RS(48,45)垂直錯誤修正碼的獨立磁盤冗余陣列群組的數據擺放示意圖。

圖18B是依據本發明實施例的使用RS(96,93)垂直錯誤修正碼的獨立磁盤冗余陣列群組的數據擺放示意圖。

圖19A至圖19B是依據本發明實施例的數據寫入時序圖。

圖20A至圖20D是依據本發明實施例的執行于處理單元中的寫入數據方法流程圖。

圖21是依據本發明實施例的字符線寫入順序示意圖。

【附圖標記說明】

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