[發(fā)明專利]LED外延層生長方法及LED外延層在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410263498.0 | 申請日： | 2014-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN103996759A | 公開（公告）日： | 2014-08-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 農(nóng)明濤 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372 | 代理人： | 吳大建;鄭雋 |
| 地址： | 423038 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 外延 生長 方法 | ||
1.一種LED外延層生長方法，其特征在于，依次包括處理襯底、生長低溫緩沖GaN層、生長非摻雜GaN層、生長摻Si的GaN層、生長有源層MQW、生長P型AlGaN層、生長P型GaN層步驟，
所述生長P型GaN層步驟為：
A、在溫度為900-950℃，反應腔壓力在200-600mbar的反應室內(nèi)，通入30000-45000sccm的NH3、600-1800sccm的Cp2Mg，關閉TMGa，做10-20秒摻Mg預處理；
B、通入20-60sccm的TMGa，關掉Cp2Mg，生長20-40秒GaN，GaN厚度為5-10nm，
重復步驟A、B10-20次，直至P型GaN層的總厚度為80-200nm；
Mg的摻雜濃度1E+19-1E+20atom/cm3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED外延層生長方法，其特征在于，所述生長P型GaN層步驟之后包括生長低溫摻鎂InGaN層：
溫度650-680℃，反應腔壓力維持在300-500mbar，通入NH3、TMGa、TMIn和Cp2Mg，持續(xù)生長2-5nm的低溫摻鎂InGaN層；Mg的摻雜濃度1E+20-1E+21atom/cm3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED外延層生長方法，其特征在于，所述生長有源層MQW步驟為：
反應腔壓力維持在300-400mbar，
C、降溫至700-750℃，生長厚度為2.5-3.2nm的InxGa(1-x)N阱層，x＝0.015-0.25，In的摻雜濃度為1E+20至5E+20atom/cm3；
D、升高溫度至800-850℃，生長厚度為8-12nm的GaN壘層；
重復生長步驟C和D，制得周期數(shù)為10-15的InxGa(1-x)N/GaN超晶格量子阱層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的LED外延層生長方法制得的LED外延層，其特征在于，在P型AlGaN層和InGaN接觸層之間包括delta摻雜P型GaN層，所述delta摻雜P型GaN層的總厚度為80-200nm：
GaN厚度為5-10nm，Mg的摻雜濃度1E+19-1E+20atom/cm3。
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