技術領域

本發明涉及計算機領域，尤其涉及一種動態隨機存取存儲器DRAM的刷新方法、設備以及系統。

背景技術

現有計算機系統普遍采用廉價的、高密度的DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器)作為系統主存，又叫做內存。DRAM利用電容里的電荷存儲數據，但這些電荷會隨著漏電的存在而不斷流失。因此，電容里的數據必須被定期讀出并重新寫入，以補償流失的電荷，這種操作叫做刷新(Refresh)。

DRAM有多個庫(Bank)組成，每個Bank為二維的存儲陣列，橫向稱為行(Row)，縱向稱為列(Column)。在刷新的過程中，每次DRAM會選定一個行(又成為內存行)，把該行的全部數據提取到感應放大器中(又稱為行緩沖區，Row Buffer)，這個過程叫做激活操作(Active)，接著在行緩沖區中完成對應數據的讀寫，行緩沖區中的數據被重新寫入存儲陣列，稱為預充電操作(Pre-charge)，通過激活操作以及預充電操作就實現了整個刷新的過程。DRAM刷新給計算機系統帶來較大的開銷，由于在刷新的過程中不能響應正常的訪存請求，帶來了一定的性能開銷，同時，刷新操作是一種很耗電的操作，會帶來一定的能耗開銷。

現有的刷新方法是對DRAM的所有的行采用統一的周期進行刷新，以保證漏電最嚴重的單元不丟失數據。

在完成本發明的過程中，發現現有技術存在如下問題：隨著DRAM容量的不斷增大，采用統一的周期對DRAM的所有內存行進行刷新的方式，其性能開銷以及能耗開銷變得越來越大，從而嚴重影響到系統的能效。

發明內容

基于此，本發明實施例所提供的動態隨機存取存儲器DRAM的刷新方法、設備以及系統，以實現在刷新的過程中，有效地降低開銷。

本發明實施例第一方面提供了一種動態隨機存取存儲器DRAM刷新信息的處理方法，該方法包括：

獲取DRAM中刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息，所述刷新單元為所述DRAM中進行一次刷新所包括的存儲空間，所述刷新單元的刷新信息包括所述刷新單元的刷新周期；

將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求，并通過所述DRAM訪問請求將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息寫入到刷新數據空間，所述刷新數據空間為所述DRAM中預設的存儲空間。

結合第一方面，在第一種可能的實現方式中，在將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息通過DRAM訪問請求寫入到刷新數據空間中之前，所述方法還包括：在所述DRAM中分配所述預設的存儲空間作為所述刷新數據空間。

結合第一方面以及第一方面的第一種可能的實現方式，在第二種可能的實現方式中，所述獲取的刷新單元的地址包括所述刷新單元的物理地址；

所述將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求，并通過所述DRAM訪問請求將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息寫入到所述刷新數據空間，包括：

將所述刷新單元的物理地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求，并通過所述DRAM訪問請求將所述刷新單元的地址以及所述刷新信息寫入所述刷新數據空間。

結合第一方面以及第一方面的第一種可能的實現方式，在第三種可能的實現方式中，所述獲取的刷新單元的地址包括所述刷新單元的虛擬地址；在將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求之前，所述方法還包括：

通過查詢頁表，將所述刷新單元的虛擬地址轉化為所述刷新單元的物理地址；

所述將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求，并通過所述DRAM訪問請求將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息寫入到所述刷新數據空間，包括：

將所述刷新單元的物理地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求，并通過所述DRAM訪問請求將所述刷新單元的物理地址以及所述刷新信息寫入所述刷新數據空間。

本發明實施例第二方面提供了一種動態隨機存取存儲器DRAM刷新信息的處理裝置，該裝置包括：

獲取單元，用于獲取DRAM中刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息，所述刷新單元為所述DRAM中進行一次刷新所包括的存儲空間，所述刷新單元的刷新信息包括所述刷新單元的刷新周期；

封裝單元，用于將所述刷新單元的地址以及所述刷新單元的刷新信息封裝為DRAM訪問請求；