1.一種像素結構，置于一基板上，該像素結構包含：

一柵極，置于該基板上；

一柵極介電層，覆蓋該柵極與該基板；

一硅通道層，置于該柵極介電層上，且置于該柵極上方；

一源極硅歐姆接觸層與一漏極硅歐姆接觸層，分開設置于該硅通道層上；

一源極輔助歐姆接觸層與一漏極輔助歐姆接觸層，分別置于該源極硅歐姆接觸層與該漏極硅歐姆接觸層上；

一透明導電部，置于該源極輔助歐姆接觸層上；

一透明像素電極，至少部分該透明像素電極置于該漏極輔助歐姆接觸層上；

一源極，置于該透明導電部上；以及

一漏極，置于該透明像素電極上，并置于該漏極輔助歐姆接觸層上方。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該源極輔助歐姆接觸層與該漏極輔助歐姆接觸層的材質為金屬。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該硅通道層的材質為非晶硅、微晶硅、多晶硅或磊晶硅。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該源極硅歐姆接觸層與該漏極硅歐姆接觸層的材質為N型摻雜硅。

5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，更包含：

一柵極線，置于該基板與該柵極介電層之間，并電性連接該柵極；以及

一數據線，置于該柵極介電層上并電性連接該源極。

6.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，更包含：

一保護層，至少覆蓋該源極、該漏極、該硅通道層與該透明像素電極；以及

一共通電極，置于該保護層上，該共通電極與該透明像素電極重疊，且該共通電極具有多個開口。

7.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，更包含：

一共通電極，置于該基板與該柵極介電層之間，并置于該透明像素電極的下方，且該共通電極與該透明像素電極重疊。

8.如權利要求7所述的像素結構，其特征在于，該透明像素電極具有多個開口。

9.一種像素結構，置于一基板上，該像素結構包含：

一柵極，置于該基板上；

一柵極介電層，覆蓋該柵極與該基板；

一硅通道層，置于該柵極介電層上，且置于該柵極上方；

一源極硅歐姆接觸層與一漏極硅歐姆接觸層，分開設置于該硅通道層上；

一源極輔助歐姆接觸層與一漏極輔助歐姆接觸層，分別置于該源極硅歐姆接觸層與該漏極硅歐姆接觸層上；

一透明導電部，置于該源極輔助歐姆接觸層上；

一透明像素電極，至少部分該透明像素電極置于該漏極輔助歐姆接觸層上；

一源極，置于該透明導電部上；

一漏極，置于該透明像素電極上，并置于該漏極輔助歐姆接觸層上方；以及

一共通電極，置于該基板上，且該共通電極與該透明像素電極重疊。

10.一種像素結構的制造方法，包含：

于一基板上形成一柵極；

依序形成一柵極介電層、一硅半導體層、一硅歐姆接觸層與一輔助歐姆接觸層覆蓋該柵極與該基板；

依序去除部分的該輔助歐姆接觸層、該硅歐姆接觸層與該硅半導體層，以在該柵極上方形成一圖案化輔助歐姆接觸層、一圖案化硅歐姆接觸層與一硅通道層；

依序形成一透明導電材料層與一金屬層覆蓋該柵極介電層與該圖案化輔助歐姆接觸層；

去除部分的該金屬層，以分別于該圖案化輔助歐姆接觸層上方形成互相分離之一源極與一漏極，并去除部分的該透明導電材料層，以形成互相分離之一透明像素電極與一透明導電部，至少部分的該透明像素電極形成于該漏極與該圖案化輔助歐姆接觸層之間，且該透明導電部形成于該源極與該圖案化輔助歐姆接觸層之間；

去除部分的該圖案化輔助歐姆接觸層，以分別形成一源極輔助歐姆接觸層與一漏極輔助歐姆接觸層于該源極與該漏極下方；以及

去除部分的該圖案化硅歐姆接觸層，以分別形成一源極硅歐姆接觸層與一漏極硅歐姆接觸層于該源極輔助歐姆接觸層與該漏極輔助歐姆接觸層下方。