1.一種改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，包括：

第一反熔絲單元及第二反熔絲單元，設(shè)置于具有第一導(dǎo)電型的基底上，該第一反熔絲單元包括依序設(shè)置于該基底上的第一反熔絲層與第一反熔絲柵極；該第二反熔絲單元包括依序設(shè)置于該基底上的一第二反熔絲層與一第二反熔絲柵極；

選擇晶體管，設(shè)置該基底上，包括：

選擇柵極，設(shè)置于該基底上；

柵極介電層，設(shè)置于該選擇柵極與該基底之間；

第一摻雜區(qū)與一第二摻雜區(qū)，具有第二導(dǎo)電型，并分別設(shè)置于該選擇柵極兩側(cè)的該基底中，其中該第二摻雜區(qū)位于該第一反熔絲單元及該第二反熔絲單元周圍的該基底中；以及

阱區(qū)，具有該第二導(dǎo)電型，設(shè)置于該第一反熔絲單元及該第二反熔絲單元下方的該基底中，并連接該第二摻雜區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該第一反熔絲層、該第二反熔絲層與該柵極介電層的厚度相同。

3.如權(quán)利要求1所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該選擇晶體管包括輸入輸出金屬氧化物半導(dǎo)體(I/O MOS)晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該選擇晶體管包括核心金屬氧化物半導(dǎo)體(core MOS)晶體管。

5.如權(quán)利要求1所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該選擇晶體管包括雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(DMOS)。

6.如權(quán)利要求1所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該第一導(dǎo)電型為P型及N型的其中的一個(gè)，該第二導(dǎo)電型為P型及N型的其中的另一個(gè)。

7.如權(quán)利要求1所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該阱區(qū)的一部分延伸至位于該選擇柵極下方。

8.如權(quán)利要求7所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該第一反熔絲層、該第二反熔絲層與該柵極介電層的厚度相同。

9.如權(quán)利要求7所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該選擇晶體管包括輸入輸出金屬氧化物半導(dǎo)體(I/O MOS)晶體管。

10.如權(quán)利要求7所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該選擇晶體管包括核心金屬氧化物半導(dǎo)體(core MOS)晶體管。

11.如權(quán)利要求7所述的改善讀取特性的反熔絲單次可編程存儲(chǔ)胞，其中該選擇晶體管包括雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管。

12.一種存儲(chǔ)胞的操作方法，該存儲(chǔ)胞包括設(shè)置于基底上的選擇晶體管、分別串接該選擇晶體管的第一反熔絲單元及第二反熔絲單元以及阱區(qū)，其中該選擇晶體管包括選擇柵極、第一摻雜區(qū)與第二摻雜區(qū)；該第二摻雜區(qū)位于該第一反熔絲單元及該第二反熔絲單元周圍的該基底中，該第一反熔絲單元包括第一反熔絲層與第一反熔絲柵極，該第二反熔絲單元包括第二反熔絲層與第二反熔絲柵極；該阱區(qū)設(shè)置于該第一反熔絲單元及該第二反熔絲單元下方的該基底中，連接該第二摻雜區(qū)，且阱區(qū)的導(dǎo)電型與該第二摻雜區(qū)相同，該方法包括：

在一編程操作時(shí)，在該選擇柵極施加一第一電壓，在該第一摻雜區(qū)施加一第二電壓，在該第一反熔絲柵極與該第二反熔絲柵極施加一第三電壓，其中該第一電壓足以打開該選擇晶體管的溝道，該第二電壓與該第三電壓的電壓差足以使該第一反熔絲層及該第二反熔絲層破裂。

13.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)胞的操作方法，還包括：

在一讀取操作時(shí)，在該選擇柵極施加一第四電壓，在該第一反熔絲柵極與該第二反熔絲柵極施加一第五電壓，其中該第四電壓足以打開該選擇晶體管的溝道，可通過從該第一摻雜區(qū)偵測該存儲(chǔ)器的溝道電流大小來判斷存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)胞中的數(shù)字信息。

14.如權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)胞的操作方法，還包括：

在一讀取操作時(shí)，在該選擇柵極施加一第六電壓，在該第一摻雜區(qū)施加一第七電壓，其中該第六電壓足以打開該選擇晶體管的溝道，可通過從該第一反熔絲柵極與該第二反熔絲柵極偵測存儲(chǔ)胞的溝道電流大小來判斷存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)胞中的數(shù)字信息。