1.一種扇出型晶圓級封裝結構，包括帶有第一金屬電極（102a）和第二金屬電極（102b）的芯片（100）和金屬層（203），芯片（100）和金屬層（203）通過塑封材料（501）塑封成一個整體；其特征是：所述芯片（100）的正面（100a）與塑封材料（501）的正面（501a）位于同一平面，芯片（100）的背面（100b）和金屬層（203）的一表面（203a）與塑封材料（501）的背面（501b）位于同一平面，并且金屬層（203）的高度小于芯片（100）的高度；在所述塑封材料（501）的正面（501a）設置介電層（901），介電層（901）中布置再布線金屬走線層（1101）和凸點下金屬層（1201），在凸點下金屬層（1201）上置焊球（1301），再布線金屬走線層（1101）連接第一金屬電極（102a）、第二金屬電極（102b）以及凸點下金屬層（1201）。

2.如權利要求1所述的扇出型晶圓級封裝結構，其特征是：所述凸點下金屬層（1201）的頂面與介電層（901）的頂面平齊，或者突出于介電層（901）的表面。

3.一種扇出型晶圓級封裝結構的制造工藝，其特征是，采用以下工藝步驟：

（1）準備載體圓片（201），在載體圓片（201）上表面涂覆第一粘膠層（202），并制作金屬層（203），在金屬層（203）上制作通孔，裸露出載體圓片（201）的上表面；在金屬層（203）的通孔底部涂覆第二粘膠層（202a），將芯片（100）的正面（100a）朝上粘貼于載體圓片（201）上；所述金屬層（203）的高度比芯片（100）的高度低；

（2）將金屬層（203）、芯片（100）塑封于塑封材料（501）中，并且保證芯片（100）的正面（100a）與塑封材料（501）的正面（501a）位于同一平面，芯片（100）的背面（100b）和金屬層（203）的一表面（203a）與塑封材料（501）的背面（501b）位于同一平面；

（3）在塑封材料（501）的正面（501a）涂覆介電層（901），在介電層（901）上制作再布線金屬走線層（1101），再布線金屬走線層（1101）連接第一金屬電極（102a）和第二金屬電極（102b）；

（4）去除載體圓片（201）和粘膠層，裸露出芯片（100）的背面（100b）；在再布線金屬走線層（1101）的上表面涂覆介電層，并在介電層中制作凸點下金屬層（1201），凸點下金屬層（1201）嵌入介電層（901）中，與再布線金屬走線層（1101）連接；?

（5）在凸點下金屬層（1201）上植球回流，形成焊球（1301）凸點陣列；

（6）對上述重構的圓片進行減薄、切割，形成單顆的扇出型芯片封裝結構。

4.如權利要求3所述的扇出型晶圓級封裝結構的制造工藝，其特征是：所述芯片（100）由具有多個芯片（100）的IC圓片（101）減薄并切割而成。

5.如權利要求3所述的扇出型晶圓級封裝結構的制造工藝，其特征是：所述金屬層（203）采用濺射、沉積或電鍍的方法制作得到，或者采用直接粘貼金屬箔/片或金屬網板的方式制成。

6.如權利要求3所述的扇出型晶圓級封裝結構的制造工藝，其特征是：所述步驟（1）的操作采用以下操作代替：在載體圓片（201）上表面涂覆第一粘膠層（202），粘貼預加工具有通孔的金屬層（203），再將芯片（100）的正面（100a）朝上粘貼于載體圓片（201）上。