1.一種提高半導(dǎo)體激光器芯片散熱效率的方法，其特征在于，包括如下步驟：

a)生長(zhǎng)襯底依次外延生長(zhǎng)預(yù)置轉(zhuǎn)換層、N區(qū)外延層、有源區(qū)和P區(qū)外延層；

b)經(jīng)過光刻、刻蝕、蒸鍍TiPtAu和退火在所述P區(qū)外延層制作P面電極；所述退火在400℃～470℃溫度范圍內(nèi)執(zhí)行；所述退火的時(shí)間范圍為30s～60s；

c)將所述步驟b)所得浸入腐蝕液，利用所述腐蝕液腐蝕所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層；

d)經(jīng)所述步驟c)所得的所述N區(qū)外延層經(jīng)過表面處理步驟之后，蒸鍍AuGeNi制作N面電極；

所述P面電極和所述N面電極分別形成P面散熱結(jié)構(gòu)和N面散熱結(jié)構(gòu)；所述N面散熱結(jié)構(gòu)和所述P面散熱結(jié)構(gòu)具體為銅層，所述銅層通過電鍍方式形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高半導(dǎo)體激光器芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述P區(qū)外延層包括電流限制結(jié)構(gòu)，所述電流限制結(jié)構(gòu)具體為脊形結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高半導(dǎo)體激光器芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層能夠被腐蝕液選擇性消除；所述腐蝕液具體為HF或BOE。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的一種提高半導(dǎo)體激光器芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述生長(zhǎng)襯底包括GaAs。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種提高半導(dǎo)體激光器芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述預(yù)置轉(zhuǎn)換層包括AlAs。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種提高半導(dǎo)體激光器芯片散熱效率的方法，其特征在于，所述刻蝕具體為干法刻蝕或者濕法刻蝕，使用選擇性的和/或各向異性的刻蝕法來執(zhí)行；所述表面處理步驟至多包括拋光步驟、檢測(cè)步驟以及位于所述拋光步驟之前和/或之后的清洗步驟，所述拋光步驟具體為化學(xué)拋光或機(jī)械拋光；所述清洗步驟具體為所述腐蝕液清洗或者水清洗；所述檢測(cè)步驟具體為光滑度檢測(cè)和表面清潔度檢測(cè)。