[發(fā)明專利]基于碳對電極的鈣鈦礦型電池及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410049008.7 | 申請日: | 2014-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN103956392A | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊希川 | 申請(專利權(quán))人: | 大連七色光太陽能科技開發(fā)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司: | 大連星海專利事務(wù)所 21208 | 代理人: | 裴毓英 |
| 地址: | 116021 遼寧省大連市高*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 電極 鈣鈦礦型 電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于碳對電極的鈣鈦礦型電池,其特征在于,所述鈣鈦礦型電池包括平行、順次連接的導(dǎo)電玻璃基底、TiO2致密層、半導(dǎo)體納米多孔薄膜、鈣鈦礦型吸光劑薄膜和導(dǎo)電碳薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于碳對電極的鈣鈦礦型電池,其特征在于,所述導(dǎo)電玻璃為FTO導(dǎo)電玻璃或ITO導(dǎo)電玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于碳對電極的鈣鈦礦型電池,其特征在于,所述TiO2致密層厚度為20-100?nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于碳對電極的鈣鈦礦型電池,其特征在于,所述半導(dǎo)體納米多孔薄膜為TiO2或Al2O3納米多孔薄膜,其厚度為200?nm-1000?nm,納米顆粒尺寸為10?nm-25?nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于碳對電極的鈣鈦礦型電池,其特征在于,所述鈣鈦礦型吸光劑薄膜由鈣鈦礦型吸光劑制備而成,所述鈣鈦礦型吸光劑組成為CaTiO3或與CaTiO3晶型相近的材料(RNH3)BX(3-x)X’x(R=CnH2n+1,X=Cl,?Br,?I,X’=?除去X外的其他兩種鹵素,B=Pb,?Sn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于碳對電極的鈣鈦礦型電池,其特征在于,所述導(dǎo)電碳薄膜厚度為2?μm-30?μm。
7.一種權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述基于碳對電極的鈣鈦礦型電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)、鈣鈦礦型電池光陽極的制備:導(dǎo)電玻璃基底上制備一層TiO2致密層,燒結(jié)溫度為400℃-600℃,燒結(jié)時(shí)間為10min-90min;在TiO2致密層上再制備一層半導(dǎo)體納米多孔薄膜,燒結(jié)溫度為400℃-600℃,燒結(jié)時(shí)間為10min-90min;然后在半導(dǎo)體納米多孔薄膜上制備一層鈣鈦礦型吸光劑薄膜形成鈣鈦礦型電池光陽極,燒結(jié)溫度為50℃-200℃,燒結(jié)時(shí)間為10min-90min;
(2)、鈣鈦礦型電池光陰極的制備:在步驟(1)中的鈣鈦礦型吸光劑薄膜上,旋涂或刮涂一層導(dǎo)電碳薄膜,燒結(jié)后便形成鈣鈦礦型電池光陰極,燒結(jié)溫度為50℃-250℃,燒結(jié)時(shí)間為5min-90min;至此,基于碳對電極的鈣鈦礦型電池制備完成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述基于碳對電極的鈣鈦礦型電池的制備方法,其特征在于,所述TiO2致密層的制備方法為:噴霧熱解法、提拉法或旋涂法。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述基于碳對電極的鈣鈦礦型電池的制備方法,其特征在于,所述半導(dǎo)體納米多孔薄膜的制備方法為:旋涂法、刮刀法或絲網(wǎng)印刷法。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大連七色光太陽能科技開發(fā)有限公司,未經(jīng)大連七色光太陽能科技開發(fā)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201410049008.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





