[發明專利]扇出型方片級封裝的制作工藝有效
| 申請號: | 201410045900.8 | 申請日: | 2014-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN103762183B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 陳峰;耿菲 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷紅梅 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新區太湖國*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 扇出型方片級 封裝 制作 工藝 | ||
1.一種扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于,包括下述步驟:
步驟一,提供承載片(101),在承載片(101)上貼覆粘結膠(102);
步驟二,將芯片(103)正貼到粘結膠(102)上;
步驟三,在承載片(101)上貼有芯片(103)的那一面上涂覆第二類絕緣樹脂(104),第二類絕緣樹脂(104)填充芯片(103)之間的溝槽,第二類絕緣樹脂(104)的高度不高于芯片(103)頂部的高度;
步驟四,在承載片(101)上貼有芯片(103)的那一面上涂覆第一類感光樹脂(107),第一類感光樹脂(107)將芯片(103)覆蓋住;
步驟五,在第一類感光樹脂(107)中形成通向芯片焊盤(106)的導通孔(108);
步驟六,在導通孔(108)中和第一類感光樹脂(107)上沉積一層種子層(109);在種子層(109)上涂覆光刻膠(110),然后使得光刻膠(110)上顯露出用于制作電鍍線路(111)的圖形,使用電鍍的方法,在顯露出的圖形區域中形成電連接芯片焊盤(106)的電鍍線路(111);
步驟七,去除光刻膠(110)和光刻膠底部的種子層(109),保留電鍍線路(111)底部的種子層(109);在承載片(101)上涂覆一層阻焊油墨(113),使得阻焊油墨(113)覆蓋電鍍線路(111);
然后在阻焊油墨(113)上顯露出電鍍線路(111)上的金屬焊盤(112)。
2.步驟八,在金屬焊盤(112)上形成焊球(114)。
3.如權利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟一中,承載片(101)為矩形,材料為玻璃、金屬板或有機基板。
4.如權利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟三中,第二類絕緣樹脂(104)為包含環氧樹脂、亞克力樹脂、酚醛樹脂或三嗪樹脂成分的增層材料、底填料或塑封材料。
5.如權利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟三中,涂覆第二類絕緣樹脂(104)采用的工藝是絲網印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、真空壓合、點膠或壓印。
6.如權利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟三中,第二類絕緣樹脂(104)頂部低于芯片(103)頂部0~15微米。
7.如權利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟四中,第一類感光樹脂(107)包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亞胺、感光型環氧樹脂或干膜。
8.如權利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟四中,涂覆第一類感光樹脂(107)采用的工藝包括旋涂、噴涂、滾涂、絲網印刷、狹縫涂覆、噴墨打印、滾壓或真空壓合。
9.如權利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟六中,通過濺射金屬或化學沉銅工藝,在導通孔(108)中和第一類感光樹脂(107)上沉積種子層(109)。
10.如權利要求1所述的扇出型方片級封裝的制作工藝,其特征在于:
所述步驟八中,通過植球、印刷、電鍍或化學鍍工藝形成焊球(114)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





