1.一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

待封裝晶圓，所述待封裝晶圓包括若干芯片區(qū)域和位于芯片區(qū)域之間的切割道區(qū)域，且所述待封裝晶圓包括第一面和與所述第一面相對(duì)的第二面；

位于所述待封裝晶圓芯片區(qū)域第一面的焊墊和感光元件；

覆蓋于所述焊墊和切割道區(qū)域表面的第一圍堤結(jié)構(gòu)，位于第一圍堤結(jié)構(gòu)上方的第二圍堤結(jié)構(gòu)，第二圍堤結(jié)構(gòu)的寬度小于第一圍堤結(jié)構(gòu)的寬度，且第二圍堤結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)于切割道區(qū)域的位置；

與所述待封裝晶圓第一面相對(duì)設(shè)置的封裝蓋，且通過(guò)所述第一圍堤結(jié)構(gòu)和第二圍堤結(jié)構(gòu)將封裝蓋與待封裝晶圓固定接合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的寬度小于切割道區(qū)域的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)位于第一圍堤結(jié)構(gòu)表面，且第二圍堤結(jié)構(gòu)和第一圍堤結(jié)構(gòu)為一體結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)的頂部高于感光元件的頂部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)頂部至感光元件頂部的距離為1μm至50μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)為一個(gè)或多個(gè)分立的結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)和第一圍堤結(jié)構(gòu)之間還形成有一個(gè)或多個(gè)第三圍堤結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)和第二圍堤結(jié)構(gòu)的材料相同，為光刻膠或樹(shù)脂；所述封裝蓋的材料為無(wú)機(jī)玻璃、有機(jī)玻璃或硅基底。

9.一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供待封裝晶圓，所述待封裝晶圓包括若干芯片區(qū)域和位于芯片區(qū)域之間的切割道區(qū)域，所述待封裝晶圓包括第一面和與所述第一面相對(duì)的第二面，且所述待封裝晶圓芯片區(qū)域的第一面具有焊墊和感光元件；

形成覆蓋于所述焊墊和切割道區(qū)域表面的初始圍堤結(jié)構(gòu)；

對(duì)所述初始圍堤結(jié)構(gòu)進(jìn)行裁剪處理，形成第一圍堤結(jié)構(gòu)、以及位于第一圍堤結(jié)構(gòu)上方的第二圍堤結(jié)構(gòu)，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的寬度小于第一圍堤結(jié)構(gòu)的寬度，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)覆蓋于焊墊和切割道區(qū)域表面，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)于切割道區(qū)域?qū)?yīng)的位置；

形成與待封裝晶圓第一面相對(duì)封裝蓋，且通過(guò)所述第一圍堤結(jié)構(gòu)和第二圍堤結(jié)構(gòu)將封裝蓋與待封裝晶圓固定接合。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述裁剪處理的工藝為鐳射工藝或曝光顯影工藝。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述初始圍堤結(jié)構(gòu)的材料為正光刻膠時(shí)，所述裁剪處理的工藝為鐳射工藝或曝光顯影工藝；所述初始圍堤結(jié)構(gòu)的材料為負(fù)光刻膠或樹(shù)脂時(shí)，所述裁剪處理的工藝為鐳射工藝。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，通過(guò)直接鍵合或利用粘合劑粘合的工藝將封裝蓋與待封裝晶圓固定接合。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)的頂部高于感光元件的頂部。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一圍堤頂部至感光元件頂部的距離為1μm至50μm。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)為一個(gè)或多個(gè)分立的結(jié)構(gòu)，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的寬度小于切割道區(qū)域的寬度。

16.根據(jù)權(quán)利要求9所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)位于第一圍堤結(jié)構(gòu)表面，且第二圍堤結(jié)構(gòu)和第一圍堤結(jié)構(gòu)為一體結(jié)構(gòu)。

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，第二圍堤結(jié)構(gòu)和第一圍堤結(jié)構(gòu)之間形成有一個(gè)或多個(gè)第三圍堤結(jié)構(gòu)。