技術領域

本發明涉及適用于可由諸如手指或觸筆等的接觸來輸入信息的輸入顯示裝置等的透明導電膜。

背景技術

以往，已知一種透明導電膜，其在一片薄膜基體材料的兩面，形成有由銀鹽感光材料形成的透明導體層(專利文獻1)。這種在兩面具有透明導體層的透明導電膜具有如下優點：在制造電容式觸控面板的情況下，沒有必要層疊兩片在薄膜基體材料的一個表面上形成了透明導體層的透明導電膜，而且，在圖案化(patterning)透明導體層的情況下，進行了圖案化的正面和背面的透明導體層的位置偏離小，即具有優異的相對位置精度。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-210579號公報

發明內容

發明所要解決的課題

然而，在使用銦錫氧化物作為透明導體層的情況下，雖然僅在薄膜基體材料的一面上形成透明導體層的情況下沒有任何問題，而當在薄膜基體材料的兩個表面上形成透明導體層時，則存在銦錫氧化物的結晶性變得極差、不能獲得表面電阻值小的透明導電膜的問題。

本發明的目的在于提供一種透明導電膜，即使在薄膜基體材料的兩面形成有由銦錫氧化物形成的透明導體層的情況下，也具有優異的結晶性并可以實現小的表面電阻值。

用以解決課題的方案

為了達到上述目的，本發明的透明導電膜包括：具有第1表面和第2表面的薄膜基體材料，形成在該薄膜基體材料的第1表面側的第1透明導體層，和形成在所述薄膜基體材料的第2表面側的第2透明導體層，其特征在于：所述第1透明導體層是從所述薄膜基體材料的第1表面側起依次層疊有第1銦錫氧化物層、第2銦錫氧化物層和第3銦錫氧化物層而構成，所述第2透明導體層是從所述薄膜基體材料的第2表面側起依次層疊有第4銦錫氧化物層、第5銦錫氧化物層和第6銦錫氧化物層而構成，所述第2銦錫氧化物層的氧化錫含量比第1銦錫氧化物層的氧化錫含量和第3銦錫氧化物層的氧化錫含量都高，所述第5銦錫氧化物層的氧化錫含量比第4銦錫氧化物層的氧化錫含量和第6銦錫氧化物層的氧化錫含量都高。

優選地，所述第2銦錫氧化物層的氧化錫含量為6重量％～15重量％，所述第1銦錫氧化物層的氧化錫含量與所述第3銦錫氧化物層的氧化錫含量各為1重量％至5重量％。

還優選的是，所述第5銦錫氧化物層的氧化錫含量為6重量％～15重量％，所述第4銦錫氧化物層和所述第6銦錫氧化物層的氧化錫含量各為1重量％至5重量％。

而且，優選的是，所述第2銦錫氧化物層的厚度比所述第1銦錫氧化物層的厚度和所述第3銦錫氧化物層的厚度都大。

更優選地，所述第2銦錫氧化物層的厚度為5nm～20nm，所述第1銦錫氧化物層的厚度與所述第3銦錫氧化物層的厚度各為1nm～10nm。

而且，優選的是，所述第5銦錫氧化物層的厚度比所述第4銦錫氧化物層的厚度和所述第6銦錫氧化物層的厚度都大。

更優選的是，所述第5銦錫氧化物層的厚度為5nm～20nm，所述第4銦錫氧化物層的厚度與所述第6銦錫氧化物層的厚度各為1nm～10nm。

發明效果

根據本發明，將形成于薄膜基體材料的兩個表面的第1、第2透明導體層雙方都設為三層結構，第1透明導體層中的第2銦錫氧化物層的氧化錫含量比第1、第3銦錫氧化物層的氧化錫含量都高，而且，第2透明導體層中的第5銦錫氧化物層的氧化錫含量比第4、第6銦錫氧化物層的氧化錫含量都高。根據這樣的結構，即使在薄膜基體材料的兩面形成由銦錫氧化物層構成的透明導體層的情況下，也可以提供具有優異的結晶性、表面電阻值小的透明導電膜。

附圖說明

圖1是示意性地示出根據本發明實施方式的透明導電膜的結構的截面圖。

圖2是示出圖1中的第1透明導體層的結構的局部放大截面圖。

圖3是示出圖1中的第2透明導體層的結構的局部放大截面圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。

圖1是示意性地示出了根據本實施方式的透明導電膜的結構的截面圖。另外，在圖1中的每個層的厚度是為了表明它的一個例子，本發明的薄膜傳感器中的每個層的厚度不限于圖1。

如圖1所示，本發明的透明導電膜1包含：具有表面2a(第1表面)和表面2b(第2表面)的薄膜基體材料2，形成在薄膜基體材料2的表面2a側的透明導體層3(第1透明導體層)，以及形成在薄膜基體材料2的表面2b側的透明導體層4(第2透明導體層)。