1.一種光纖，其是至少以L(fǎng)P01模以及LP02模傳播規(guī)定波長(zhǎng)的光的光纖，其特征在于，

在包層中的傳播所述規(guī)定波長(zhǎng)的光的導(dǎo)波區(qū)域的至少一部分、以及纖芯中的所述LP01模的光的強(qiáng)度比所述LP02模的光的強(qiáng)度大的區(qū)域，分別添加使楊氏模量變化的摻雜劑，

所述包層的所述導(dǎo)波區(qū)域的至少一部分的楊氏模量，比所述纖芯中的所述LP01模的光的強(qiáng)度比所述LP02模的光的強(qiáng)度大的區(qū)域的楊氏模量小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，

在所述包層的全部的所述導(dǎo)波區(qū)域添加使楊氏模量變化的摻雜劑，

所述包層的全部的所述導(dǎo)波區(qū)域的楊氏模量，比所述纖芯中的所述LP01模的光的強(qiáng)度比所述LP02模的光的強(qiáng)度大的區(qū)域的楊氏模量小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，其特征在于，

所述包層的所述導(dǎo)波區(qū)域中的、楊氏模量比所述LP01模的光的強(qiáng)度大于所述LP02模的光的強(qiáng)度的區(qū)域的楊氏模量小的區(qū)域的楊氏模量，比所述纖芯的所述LP02模的光的強(qiáng)度大于所述LP01模的光的強(qiáng)度的區(qū)域中的、較所述LP01模的光的強(qiáng)度大于所述LP02模的光的強(qiáng)度的區(qū)域更靠外周側(cè)的區(qū)域的楊氏模量小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的光纖，其特征在于，

所述包層的所述導(dǎo)波區(qū)域中的、楊氏模量比所述LP01模的光的強(qiáng)度大于所述LP02模的光的強(qiáng)度的區(qū)域的楊氏模量小的的區(qū)域的楊氏模量，比所述包層的較所述導(dǎo)波區(qū)域更靠外周側(cè)的區(qū)域的楊氏模量小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的光纖，其特征在于，

所述包層的折射率在徑向上保持恒定。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的光纖，其特征在于，

在所述包層的所述導(dǎo)波區(qū)域中的、楊氏模量比所述LP01模的光的強(qiáng)度大于所述LP02模的光的強(qiáng)度的區(qū)域的楊氏模量小的區(qū)域，共添加有使折射率降低并且使楊氏模量減小的摻雜劑、和使折射率增大并且使楊氏模量減小的摻雜劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的光纖，其特征在于，

在所述纖芯添加受激發(fā)射出所述規(guī)定波長(zhǎng)的光的活性元素。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纖，其特征在于，

在所述包層內(nèi)設(shè)置有隔著所述纖芯的一對(duì)應(yīng)力施加部。

9.一種光纖激光裝置，其特征在于，具備：

權(quán)利要求7或8所述的光纖；

種子光源，其射出要入射于所述纖芯的所述規(guī)定波長(zhǎng)的種子光；以及

激勵(lì)光源，其將激勵(lì)所述活性元素的激勵(lì)光射出。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光纖激光裝置，其特征在于，

所述種子光僅激勵(lì)所述光纖的軸對(duì)稱(chēng)的模。

11.一種光纖激光裝置，其特征在于，具備：

權(quán)利要求7或8所述的光纖；

激勵(lì)光源，其將激勵(lì)所述活性元素的激勵(lì)光射出；

第一FBG，其設(shè)置于所述光纖的一側(cè)，并將由所述激勵(lì)光激勵(lì)的所述活性元素所釋放的光中的、所述規(guī)定波長(zhǎng)的光反射；以及

第二FBG，其設(shè)置于所述光纖的另一側(cè)，并將波長(zhǎng)與所述第一FBG所反射的光相同的光以比所述第一FBG低的反射率反射。