[發(fā)明專利]微波導(dǎo)入組件中的S參數(shù)取得方法和異常檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380036701.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104472020B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 池田太郎;藤野豐;足立光;宮下大幸;長(zhǎng)田勇輝;山本伸彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H05H1/00 | 分類號(hào): | H05H1/00;C23C16/511;H01L21/304;H01L21/3065;H01L21/31;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微波 導(dǎo)入 組件 中的 參數(shù) 取得 方法 異常 檢測(cè) | ||
1.一種異常檢測(cè)方法,是在等離子體處理裝置中檢測(cè)微波導(dǎo)入組件的異常方法,其特征在于:
所述等離子體處理裝置包括:
收納被處理體的處理容器;
微波導(dǎo)入裝置,其具有在所述處理容器內(nèi)將用于生成等離子體的微波導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的多個(gè)微波導(dǎo)入組件;和
對(duì)所述處理容器內(nèi)進(jìn)行減壓排氣的排氣裝置,其中
所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件分別將所述微波導(dǎo)入所述處理容器內(nèi)的不同位置,
使所述處理容器內(nèi)成為真空狀態(tài)且沒(méi)有生成所述等離子體的狀態(tài),對(duì)各個(gè)所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件導(dǎo)入所述微波,
在對(duì)各個(gè)所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件導(dǎo)入所述微波時(shí),通過(guò)所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件中的一個(gè)微波導(dǎo)入組件導(dǎo)入微波至所述處理容器內(nèi),停止從其他微波導(dǎo)入組件導(dǎo)入微波的情況下,分別測(cè)定從所述一個(gè)微波導(dǎo)入組件導(dǎo)入的微波的電功率值和所有所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件反射的反射微波的電功率值,基于測(cè)定的微波的電功率值和反射微波的電功率值,求取選自所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件中的兩個(gè)微波導(dǎo)入組件構(gòu)成的組合各自的S參數(shù),
求得多個(gè)所述S參數(shù)的絕對(duì)值之間的差,基于該差檢測(cè)所述異常。
2.如權(quán)利要求1所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件分別具有測(cè)定所述微波和所述反射微波的電功率值的電力測(cè)定器。
3.如權(quán)利要求2所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
所述微波包括在每個(gè)所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件中電功率值不同的多個(gè)入射波,
所述反射微波包括分別與所述多個(gè)入射波對(duì)應(yīng)的多個(gè)反射波。
4.如權(quán)利要求3所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
選自所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件中的兩個(gè)微波導(dǎo)入組件構(gòu)成的組合各自的S參數(shù),能夠通過(guò)最小二乘法根據(jù)所述多個(gè)入射波的電功率值和所述多個(gè)反射波的電功率值求取。
5.如權(quán)利要求1所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
所述微波導(dǎo)入裝置具有第1微波導(dǎo)入組件至第7微波導(dǎo)入組件作為所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件,
所述處理容器包括頂部,該頂部具有使分別由所述第1微波導(dǎo)入組件至第7微波導(dǎo)入組件導(dǎo)入的所述微波通過(guò)所述處理容器內(nèi)的第1微波導(dǎo)入口至第7微波導(dǎo)入口,
所述第1微波導(dǎo)入口配置在所述頂部的中央部分,
第2微波導(dǎo)入口至第7微波導(dǎo)入口分別配置在所述頂部中以所述第1微波導(dǎo)入口為中心的假想的正六邊形的頂點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求5所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
選自所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件中的兩個(gè)微波導(dǎo)入組件構(gòu)成的組合包括所述第1微波導(dǎo)入組件和所述第2微波導(dǎo)入組件至第7微波導(dǎo)入組件中任一微波導(dǎo)入組件構(gòu)成的組合。
7.如權(quán)利要求5所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
選自所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件中的兩個(gè)微波導(dǎo)入組件構(gòu)成的組合包括第1組合、第2組合和第3組合中的至少一個(gè),其中,第1組合是組合沿著所述假想的正六邊形的外周相鄰的兩個(gè)微波導(dǎo)入組件,第2組合是組合沿所述假想的正六邊形的外周每隔一個(gè)微波導(dǎo)入組件而相鄰的兩個(gè)微波導(dǎo)入組件,第3組合是組合沿著所述假想的正六邊形的外周每隔兩個(gè)微波導(dǎo)入組件而相鄰的兩個(gè)微波導(dǎo)入組件。
8.如權(quán)利要求5所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
選自所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件中的兩個(gè)微波導(dǎo)入組件構(gòu)成的組合是網(wǎng)羅全部所述第1微波導(dǎo)入組件至第7微波導(dǎo)入組件的組合。
9.如權(quán)利要求1所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
對(duì)所述差的絕對(duì)值和表示所述多個(gè)微波導(dǎo)入組件中的異常的規(guī)定的閾值進(jìn)行比較。
10.如權(quán)利要求9所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
所述差是對(duì)取得的全部的多個(gè)S參數(shù)相互進(jìn)行運(yùn)算而得到的多個(gè)差。
11.如權(quán)利要求10所述的異常檢測(cè)方法,其特征在于:
對(duì)所述多個(gè)差的絕對(duì)值的最大值和所述閾值進(jìn)行比較。
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