[發明專利]受光器件有效
| 申請號: | 201380016380.1 | 申請日: | 2013-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN104247018B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發明(設計)人: | 愛迪生·古梅斯·柯曼爾古 | 申請(專利權)人: | 旭化成微電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H01L27/146;H01L31/10 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 | ||
1.一種受光器件,具備由形成在同一襯底上的第一受光部和第二受光部以及第一輸出端子和第二輸出端子構成的電路圖案,該受光器件的特征在于,
上述第一受光部和上述第二受光部分別具有:
半導體層疊部,其形成具有第一導電型半導體層和第二導電型半導體層的PN結或者PIN結的光電二極管結構;
第一電極,其與上述第一導電型半導體層相連接;以及
第二電極,其與上述第二導電型半導體層相連接,
其中,上述第一受光部的第一電極與上述第二受光部的第一電極相連接,
上述第一受光部的第二電極與上述第一輸出端子相連接,
上述第二受光部的第二電極與上述第二輸出端子相連接,
在上述第一輸出端子與上述第二輸出端子之間輸出在上述第一受光部和上述第二受光部中產生的信號的差。
2.根據權利要求1所述的受光器件,其特征在于,
還具備形成在上述同一襯底上的第三受光部和第四受光部以及第三輸出端子和第四輸出端子,
上述第三受光部和上述第四受光部分別具有:
半導體層疊部,其形成具有第一導電型半導體層和第二導電型半導體層的PN結或者PIN結的光電二極管結構;
第一電極,其與上述第一導電型半導體層相連接;以及
第二電極,其與上述第二導電型半導體層相連接,
其中,上述第三受光部的第二電極和上述第四受光部的第二電極與上述第一受光部的第一電極和上述第二受光部的第一電極相連接,
上述第三受光部的第一電極與上述第三輸出端子相連接,
上述第四受光部的第一電極與上述第四輸出端子相連接。
3.根據權利要求1或者2所述的受光器件,其特征在于,
還具備電流-電壓變換放大器,該電流-電壓變換放大器與上述第一輸出端子和上述第二輸出端子相連接。
4.根據權利要求2所述的受光器件,其特征在于,還具備:
第一減法電路,其與上述第一輸出端子和上述第二輸出端子相連接;
第二減法電路,其與上述第三輸出端子和上述第四輸出端子相連接;
第三減法電路,其與上述第一輸出端子和上述第三輸出端子相連接;
第四減法電路,其與上述第二輸出端子和上述第四輸出端子相連接;以及
加法電路,其與上述第三減法電路和上述第四減法電路的輸出端子相連接。
5.根據權利要求3或者4所述的受光器件,其特征在于,
上述輸出端子分別經由電流-電壓變換放大器與上述減法電路相連接。
6.根據權利要求3~5中的任一項所述的受光器件,其特征在于,
上述輸出端子與上述減法電路不經由開關元件進行連接。
7.根據權利要求1所述的受光器件,其特征在于,
受光器件在同一襯底上具備兩個上述電路圖案,
該受光器件還具備:
第一布線層,其對一個上述電路圖案中的上述第一受光部的第一電極與上述第二受光部的第一電極進行連接;以及
第二布線層,其對另一個上述電路圖案中的上述第一受光部的第一電極與上述第二受光部的第一電極進行連接,
其中,上述第一布線層和上述第二布線層形成為在交叉部處相互交叉,
在上述交叉部處的上述襯底上形成有第一導電型半導體層,
在上述交叉部處,
上述第一布線層隔著絕緣層形成在上述交叉部的上述第一導電型半導體層上,
上述第二布線層經由形成在上述絕緣層的一部分的接觸孔與上述交叉部的上述第一導電型半導體層電連接。
8.根據權利要求1~7中的任一項所述的受光器件,其特征在于,
上述半導體層疊部由含有銦和/或銻的材料構成。
9.一種位置檢測器件,其特征在于,具備:
根據權利要求1~8中的任一項所述的受光器件;以及
視場角限制體,其對入射到上述受光器件的上述受光部的光的入射方向進行控制。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





