[實用新型]一種垂直磁傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320884318.1 | 申請日: | 2013-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN203759234U | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張開明;萬虹;張挺;楊茜 | 申請(專利權)人: | 上海矽睿科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R35/00 | 分類號: | G01R35/00 |
| 代理公司: | 上海金盛協(xié)力知識產權代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
| 地址: | 201815 上海市嘉*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 垂直 傳感器 | ||
技術領域
本實用新型屬于磁傳感技術領域,涉及一種磁傳感器,尤其涉及一種垂直磁傳感器。
背景技術
目前,在智能手機和平板電腦等消費類電子產品中越來越多地使用基于磁傳感器技術的電子羅盤,給用戶帶來導航方面的諸多便利。近年來,對磁傳感器的需求從兩軸的平面磁傳感器向三軸的全空間磁傳感器發(fā)展。與兩軸的平面磁傳感器相比,三軸磁傳感器多了一個感應垂直方向磁場的Z軸傳感器。基于降低封裝成本和器件尺寸的要求,將Z軸磁傳感器與平面磁傳感器集成到同一芯片的三軸磁傳感器是未來的發(fā)展方向。
磁傳感器要實現(xiàn)長期穩(wěn)定的工作,就需要具備方便快捷的自檢功能。在平面磁傳感器中,自檢電路主要產生水平方向的磁場。而在感應垂直方向磁場的Z軸磁傳感器中,需要自檢電路產生垂直方向的磁場,因此平面磁傳感器的自檢電路不能應用于Z軸磁傳感器中,需要設計新型的自檢電路。
有鑒于此,如今迫切需要設計一種新的垂直磁傳感器(Z軸磁傳感器),以便克服現(xiàn)有磁傳感器的上述缺陷。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種垂直磁傳感器,可產生垂直方向的磁場,用于垂直磁傳感器的自檢。
為解決上述技術問題,本實用新型采用如下技術方案:
一種垂直磁傳感器,所述垂直磁傳感器包括磁傳感器本體、自檢電路;
所述磁傳感器本體包括基底和感應單元,基底上設有溝槽,溝槽的側壁設有磁性機構,該磁性機構作為導磁單元;
所述自檢電路靠近導磁單元設置,通入電流的自檢電路產生磁場的方向與導 磁單元呈0~30°角。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述自檢電路產生磁場的方向與導磁單元平行。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述自檢電路包括若干組導線,每組導線包括平行設置的第一導線、第二導線,第一導線與第二導線的電流方向相反;所述第一導線、第二導線分別設置于對應溝槽的兩側,導磁單元設置于第一導線、第二導線之間。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述自檢電路包括若干組導線,各導線順次相連。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述第一導線、第二導線與溝槽平行設置,導磁單元與第一導線、第二導線的距離相等。
作為本實用新型的一種優(yōu)選方案,所述自檢電路包括若干導線,各導線分別靠近對應的溝槽設置,導磁單元設置于對應導線邊緣處的正下方。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:在自檢電路中,自檢電流在寬度為1~20微米的金屬導線中傳導,在空間不同位置產生不同大小和方向的磁場。在需要產生垂直的自檢磁場處,金屬導線彎折180度,使電流的方向也轉動180度,同時將垂直磁傳感器的溝槽側壁處的導磁單元置于金屬導線彎折的中心處。此外,控制彎折處兩側金屬導線的間距為0.5~10微米,以獲得足夠強度的垂直磁場。由于彎折處兩側金屬導線的電流大小相等方向相反,則垂直磁傳感器導磁單元處的垂直磁場強度加倍,而水平磁場相互抵消而為零,因此可以達到產生垂直方向自檢磁場的目的。
在垂直磁傳感器中,通過ASIC電路的狀態(tài)機來控制和發(fā)射自檢電流脈沖,此時垂直磁傳感器會感受到自檢電路產生的垂直方向磁場,進而產生AMR單元電阻的變化和橋壓的變化,同時變化的橋壓會輸入到ASIC電路中進行計算和判斷,從而檢測傳感器是否正常工作。
本實用新型的有益效果在于:本實用新型提出的垂直磁傳感器,可產生垂直方向的磁場,用于垂直磁傳感器(Z軸磁傳感器)的自檢。本實用新型可以在不產生水平方向磁場的同時,將垂直方向磁場強度加倍,只需設計彎折的電路以及 變化垂直磁傳感器導磁單元與自檢電路的相對位置,結構簡單。
附圖說明
圖1是實施例一中本實用新型垂直磁傳感器自檢電路的原理圖。
圖2是圖1的A-A向剖視圖(包含自檢電流產生的磁場分布)。
圖3是實施例二中本實用新型垂直磁傳感器自檢電路的原理圖。
圖4是圖3的B-B向剖視圖(包含自檢電流產生的磁場分布)。
具體實施方式
下面結合附圖詳細說明本實用新型的優(yōu)選實施例。
實施例一
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海矽睿科技有限公司,未經上海矽睿科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201320884318.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:光束均勻化方法及光束均勻化裝置
- 下一篇:電潤濕陣列基板及顯示裝置





