技術領域

本實用新型屬于濕法刻蝕的技術領域，尤其涉及一種濕法刻蝕用蓋板。

背景技術

濕法刻蝕工藝主要是指采用液態化學品對被刻蝕物進行去除的技術。對TFT（Thin?Film?Transistor）基板進行濕法刻蝕時，利用化學藥液與刻蝕物進行化學反應，使無光刻膠覆蓋的部分脫離TFT基板表面。在生產過程中，酸性液體的揮發和噴淋出的液滴附著在濕法刻蝕槽的蓋板上，附著在蓋板上的酸性小液滴逐漸累積，將逐漸凝結成大的酸性液滴，最終掉落到基板上，導致刻蝕不均，影響產品合格率。

實用新型內容

本實用新型提供一種濕法刻蝕用蓋板，可以避免液滴落在基板上，提高產品合格率。

本實用新型提供一種濕法刻蝕用蓋板，在刻蝕TFT基板的濕法刻蝕設備中位于所述TFT基板的豎直上方，所述蓋板包括面向并傾斜于所述TFT基板的下表面。

進一步地，所述蓋板由相互連接成人字形結構的兩個側板組成，每個側板均包括面向并傾斜于所述TFT基板的下表面。

進一步地，所述蓋板的下表面沿與蓋板設置的傾斜方向相垂直的方向間隔形成有多個凹槽。

進一步地，所述蓋板的下方沿與蓋板設置的傾斜方向相垂直的方向間隔排列有多個凸條。

進一步地，所述凸條相對于蓋板的下表面傾斜設置，且凸條的兩端中距離TFT基板較近的一端與蓋板的下表面相固定，距離TFT基板較遠一端與蓋板的下表面之間留有間距。

進一步地，所述凸條的上表面與蓋板的下表面之間的夾角為10°～30°。

進一步地，所述凸條包括相互連接成人字形結構的兩個側邊，且凸條的兩端與蓋板的下表面相固定，兩個側邊的人字形結構連接處與蓋板的下表面之間留有間距，且每個凸條的兩個側邊的人字形結構連接處均朝向兩個側板的人字形結構連接處設置。

進一步地，所述兩個側板的下方均設置有相互平行設置的多個凸條。

進一步地，所述凸條的上表面與蓋板的下表面之間的夾角為10°～30°。

進一步地，所述凸條的兩個側邊之間的夾角、蓋板的兩個側板之間的夾角均為120°～170°。

本實用新型具有的優點在于：

本實用新型提供的濕法刻蝕用蓋板，利用蓋板下表面將蓋板上凝結的藥液滴引流至TFT基板的兩側，避免酸性液滴落到TFT基板上影響刻蝕均一性，從而提高產品合格率。

附圖說明

圖1：本實用新型提供的濕法刻蝕用蓋板的主視圖；

圖2：本實用新型提供的濕法刻蝕用蓋板的仰視圖；

圖3：本實用新型提供的濕法刻蝕用蓋板中凸條與蓋板的位置關系示意圖；

圖4：本實用新型提供的濕法刻蝕用蓋板與TFT基板傳送方向的對照圖；

圖5：對于圖4中凸條部分的局部放大圖。

圖中：1-蓋板；101-兩個側板的人字形結構連接處；2-凸條；201-兩個側邊的人字形結構連接處；3-TFT基板。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明，以使本領域的技術人員可以更好的理解本實用新型并能予以實施，但所舉實施例不作為對本實用新型的限定。

實施例1提供一種濕法刻蝕用蓋板，在刻蝕TFT基板3的濕法刻蝕設備中位于所述TFT基板3的豎直上方，所述蓋板1包括面向并傾斜于所述TFT基板3的下表面。通過蓋板1傾斜的下表面可以有效的將蓋板1上凝結的藥液引流至蓋板1的側邊。

實施例2提供一種濕法刻蝕用蓋板，與實施例1的區別在于，所述蓋板1由相互連接成人字形結構的兩個側板組成。每個側板均包括面向并傾斜于所述TFT基板的下表面。

實施例3提供一種濕法刻蝕用蓋板，與實施例2的區別在于，所述蓋板1沿板體長度方向間隔形成有多個凹槽。所述板體長度方向與蓋板設置的傾斜方向相垂直。

實施例4提供一種濕法刻蝕用蓋板，與實施例3的區別在于，所述蓋板1沿板體長度方向間隔排列有多個凸條2。所述板體長度方向與蓋板設置的傾斜方向相垂直。

實施例5提供一種濕法刻蝕用蓋板，與實施例4的區別在于，所述蓋板1該蓋板1的下方可以傾斜設置多個凸條2，如圖1所示，凸條2的兩端中距離TFT基板3較近的一端與蓋板1之間固定，距離TFT基板3較遠的一端與蓋板1之間保持一定間距而懸空。

實施例6提供一種濕法刻蝕用蓋板，與實施例5的區別在于，可以使整個凸條2與蓋板1的下表面之間的夾角為10°～30°，優選為20°。