[實用新型]像素單元及像素電路有效
| 申請號: | 201320615281.2 | 申請日: | 2013-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN203456072U | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 張玉婷 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 孟憲功 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 單元 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種像素單元以及包括該像素單元的像素電路。
背景技術
有機發光二極管(OLED,Organic?Light-Emitting?Diode)作為一種電流型發光器件已越來越多地被應用于高性能有源矩陣有機發光二極管顯示器中。傳統的無源矩陣有機發光二極管(Passive?Matrix?OLED)顯示器中,隨著顯示尺寸的增大,需要更短的單個像素的驅動時間,因而需要增大瞬態電流,增加功耗。同時大電流的應用會造成納米銦錫金屬氧化物線上壓降過大,并使OLED工作電壓過高,進而降低其效率。而有源矩陣有機發光二極管(AMOLED,Active?Matrix?OLED)顯示器通過開關晶體管逐行掃描輸入OLED電流,可以很好地解決這些問題。
在AMOLED的背板設計中,主要需要解決的問題是各AMOLED像素單元所驅動的OLED器件亮度的非均勻性。
首先,AMOLED采用薄膜晶體管(TFT,Thin-Film?Transistor)構建像素單元為發光器件提供相應的驅動電流。現有技術中,大多采用低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。與一般的非晶硅薄膜晶體管相比,低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管具有更高的遷移率和更穩定的特性,更適合應用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝的局限性,在大面積玻璃基板上制作的低溫多晶硅薄膜晶體管,常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學參數上具有非均勻性,這種非均勻性會轉化為OLED器件的驅動電流差異和亮度差異,并被人眼所感知,即色不均現象。氧化物薄膜晶體管雖然工藝的均勻性較好,但是與非晶硅薄膜晶體管類似,在長時間加壓和高溫下,其閾值電壓會出現漂移,由于顯示畫面不同,面板各部分薄膜晶體管的閾值漂移量不同,會造成顯示亮度差異,由于這種差異與之前顯示的圖像有關,因此常呈現為殘影現象。
由于OLED的發光器件是電流驅動器件,因此,在驅動發光器件發光的像素單元中,其驅動晶體管的閾值特性對驅動電流和最終顯示的亮度影響很大。驅動晶體管受到電壓應力和光照都會使其閾值發生漂移,這種閥值漂移會在顯示效果上體現為亮度不均。
實用新型內容
本實用新型所解決的技術問題是提供一種像素單元及像素電路,用于解決現有技術的像素單元中驅動晶體管閾值漂移的問題。
本實用新型的目的是通過以下技術方案實現的:一種像素單元,包括發光器件以及n個驅動子電路;其中,n為自然數且n>1;
各所述驅動子電路均包括控制極掃描信號線、開關晶體管和驅動晶體管;所述開關晶體管的控制極連接控制極掃描信號線,第一極連接所述數據線,第二極連接驅動晶體管的控制極;所述驅動晶體管的第一極連接所述功率提供線,第二極連接發光器件的第三極;
所述發光器件的第四極連接參考電壓端。
進一步地,各所述驅動子電路還包括控制晶體管;該控制晶體管的控制極連接時序控制模塊,第一極連接像素單元掃描信號線,第二極連接各所述開關晶體管的控制極。
進一步地,所述控制極為柵極,所述第一極為漏極,所述第二極為源極。
進一步地,所述第三極為陽極,所述第四極為陰極。
進一步地,所述發光器件為頂發光式有機發光二極管。
進一步地,n=2。
一種像素電路,包括以矩陣形式排列的多個如上所述的像素單元,還包括數據線和功率提供線,其中,
所述數據線連接各所述開關晶體管的第一極;
所述功率提供線連接各所述驅動晶體管的第一極。
進一步地,還包括:
時序控制模塊,連接各所述控制晶體管的控制極,用于根據時序階段控制各所述驅動子電路依次驅動發光器件。
進一步地,還包括P條像素單元掃描信號線;其中,P為像素單元掃描信號線的數量,且P為自然數,P>1;每一條所述像素單元掃描信號線均對應連接一個所述像素單元中的所有所述控制晶體管的第一極。
本實用新型與現有技術相比具有以下的優點:
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