[實用新型]遺址區種植層結構有效
| 申請號： | 201320605377.0 | 申請日： | 2013-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN203633195U | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發明（設計）人： | 陳曦;張明明 | 申請（專利權）人： | 中國文化遺產研究院 |
| 主分類號： | A01G1/00 | 分類號： | A01G1/00;A01B79/02 |
| 代理公司： | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 劉冬梅 |
| 地址： | 100029 北京市朝陽區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 遺址 種植 結構 | ||
【權利要求書】：
1.遺址區種植層結構，其特征在于，所述遺址區種植層結構包括在遺址本體（1）上依次設置的土壤墊層（2）、高密度聚乙烯防滲膜層（3）、堿式碳酸銅層（4）和植物根系生長層（5），?
其中，在堿式碳酸銅層上用土壤鋪設植物根系生長層，植物根系扎根于植物根系生長層中，?
在植物根系生長層上或者在植物根系生長層中設置滴灌系統（6），滴灌系統管道上的灌罐口以在水平平面內的設定距離設置于植物根系側方或周圍。?
2.根據權利要求1所述的遺址區種植層結構，其中，所述土壤墊層的壓實度不小于90%，土壤墊層厚度為遺址本體上沙石顆粒厚度的1.5～2倍，其中，所述的沙石顆粒為遺址本體表面的固體石塊。?
3.根據權利要求1所述的遺址區種植層結構，其中，所述高密度聚乙烯膜厚度為1.5～3mm；所述堿式碳酸銅層厚度為3～5mm。?
4.根據權利要求1所述的遺址區種植層結構，其中，所述滴灌系統包括地表滴灌系統和地下滴灌系統，地表滴灌系統設置于植物根系生長層上，地下滴灌系統設置于植物根系生長層中。?
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