[實(shí)用新型]一種CMOS器件保護(hù)電路和CMOS電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320509825.7 | 申請(qǐng)日： | 2013-08-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203423485U | 公開（公告）日： | 2014-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳金振;龐師鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京經(jīng)緯恒潤(rùn)科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H9/04 | 分類號(hào)： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 100101 北京*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cmos 器件 保護(hù) 電路 | ||
1.一種CMOS器件保護(hù)電路，其特征在于，
所述CMOS器件保護(hù)電路設(shè)置在干擾源電路和CMOS器件輸入電路之間；其中，
所述CMOS器件保護(hù)電路包括：能量轉(zhuǎn)化電路，或能量泄放電路，或能量吸收電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述能量轉(zhuǎn)化電路包括：
電阻、或磁珠或串聯(lián)的電阻和磁珠，所述能量轉(zhuǎn)化電路的一端與所述干擾源電路相連接，另一端與所述CMOS器件輸入電路相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述能量泄放電路包括：
穩(wěn)壓管或瞬態(tài)電壓抑制TVS管，所述能量泄放電路的負(fù)極端與所述干擾源電路和CMOS器件輸入電路的連接線相連接，所述能量泄放電路的正極端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述能量吸收電路包括：
電容，所述電容的一端與所述干擾源電路和CMOS器件輸入電路的連接線相連接，另一端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，
所述能量吸收電路中的電容為nF量級(jí)的電容。
6.一種CMOS電路，其特征在于，包括：
如權(quán)利要求1至權(quán)利要求5任一項(xiàng)所述的CMOS器件保護(hù)電路。
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