技術領域

本實用新型涉及集成電路技術，尤其涉及一種橫向晶體管。

背景技術

在功率集成電路，如BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)集成電路中，往往會集成大電流的雙擴散金屬氧化物晶體管（Double?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱DMOS），包括縱向雙擴散金屬氧化物晶體管（Vertical?Double?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱VDMOS），和橫向雙擴散金屬氧化物晶體管（Laterally?Double?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱LDMOS）。LDMOS由于其更容易與互補金屬氧化物晶體管（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱CMOS）集成在同一芯片中，而被廣泛使用。

LDMOS的源極和漏極平行交錯分布，源極和漏極的工作電流分別通過源極金屬引線和漏極金屬引線引出。LDMOS工作在大電流狀態時，則需要源極金屬引線和漏極金屬引線都具有足夠大的電流通過能力，否則源極金屬引線和/或漏極金屬引線可能會被燒毀。當集成電路中只包含一層金屬引線時，通常的，源極金屬引線和漏極金屬引線各自分布在源極和漏極的上方并分別匯合到一處，呈梳狀分布。當集成電路中包含的金屬引線多于一層時，傳統方法是，第一層金屬引線采用梳狀分布，而其它層金屬引線采用塊狀分布，不同層的金屬引線之間采用通孔相連。

圖1為現有技術中集成電路中LDMOS雙層金屬引線的布線圖，如圖1所示。LDMOS至少包括三層導電結構，第一層為包括源極100和漏極104圖案的源漏層，第二層和第三層分別包括源極引線和漏極引線，可稱為第一引線層和第二引線層。各層導電結構之間以絕緣層相互絕緣。第一引線層的源極引線101和漏極引線105同層設置，且分別為梳狀，布設在對應的源極100和漏極104的上方，通過孔103與第二引線層的源極引線102和漏極引線106分別相連。第二引線層的源極引線102和漏極引線106為大面積的塊狀，無論是集成電路板的后續制作還是制作完成之后的試驗及投入使用，當該第二引線層的溫度產生變化時，其熱應力較大，易引起變形，可靠性低。

實用新型內容

本實用新型提供一種橫向晶體管，以解決現有的橫向晶體管的金屬引線的熱應力大，易引起變形，可靠性低的問題。

本實用新型提供一種橫向晶體管，包括源漏層、第一引線層和第二引線層，所述源漏層包括源極和漏極，所述第一引線層包括第一源極引線和第一漏極引線，所述第二引線層包括第二源極引線和第二漏極引線，其中第一源極引線、第一漏極引線、第二源極引線和第二漏極引線的形狀分別為梳狀。

如上所述的橫向晶體管，所述梳狀的第一源極引線和第二源極引線的形狀至少部分交疊；

所述梳狀的第一漏極引線和第二漏極引線的形狀至少部分交疊。

如上所述的橫向晶體管，梳狀第二源極引線中間的梳齒長度小于梳狀第一源極引線中間的梳齒長度，沿梳齒的長度方向，兩者的交疊范圍為50%-90%，所述梳狀第二源極引線最外側的梳齒長度大于等于所述第一源極引線最外側的梳齒長度，所述梳狀第二源極引線的匯聚邊寬度大于所述梳狀第一源極引線的匯聚邊寬度；

梳狀第二漏極引線的梳齒長度小于梳狀第一漏極引線的梳齒長度，且梳狀第二漏極引線的匯聚邊寬度大于梳狀第一漏極引線的匯聚邊寬度，沿梳齒的長度方向，兩者的交疊范圍為50%-90%。

本實用新型提供的橫向晶體管，當第二引線層的溫度產生變化時，由于其第一源極引線、第一漏極引線、第二源極引線和第二漏極引線的形狀分別都采用梳狀結構，其熱應力小，不易引起變形，可靠性高。

附圖說明

圖1為現有技術中集成電路中LDMOS雙層金屬引線的布線圖；

圖2為本實用新型實施例提供的橫向晶體管的結構及布線圖。

附圖標記說明：

100：源極；101：第一源極引線；

102、201：第二源極引線；

103：孔；104：漏極；

105：第一漏極引線；

106、202：第二漏極引線。

具體實施方式