技術領域

本實用新型涉及移動通信領域，尤其是一種適用于低頻段的寬帶高效Doherty功放。

背景技術

目前，移動通信產品日趨寬帶化、小型化，應用于4G的TD-RRU產品不僅要求效率高，而且越來越寬帶化，各大功放管廠家陸續(xù)推出他們的寬帶功放管子，比如GaN材料集成的功放管具備寬帶化，但這個成本很高，不是最佳選擇。當今主流的LDMOS功放管在一定的匹配方式下也能展寬它的帶寬，同時采用Doherty結構的放大器技術是目前提高效率最有效的技術。

發(fā)明內容

本實用新型要解決上述現有技術的缺點，提供一種能有效提高射頻功率放大器效率的適用于低頻段的寬帶高效Doherty功放。

本實用新型解決其技術問題采用的技術方案：這種適用于低頻段的寬帶高效Doherty功放，主要包括前級驅動功放和末級功放，前級驅動功放由集總參數拓撲結構Ⅰ、驅動功放、分路電橋和負載組成，末級功放由集總參數拓撲結構Ⅱ、集總參數拓撲結構Ⅲ、載波功放、峰值功放和微帶線合路器組成，前級驅動功放工作在AB類偏置，末級功放的載波功放工作在AB類偏置，并且采用對稱Doherty結構，峰值功放工作在C類偏置。

所述集總參數拓撲結構Ⅰ、集總參數拓撲結構Ⅱ和集總參數拓撲結構Ⅲ，均由電容、電感組成的串聯結構，集總參數拓撲結構Ⅰ與前級驅動功放的輸入端相連，集總參數拓撲結構Ⅱ、集總參數拓撲結構Ⅲ分別與末級的載波功放和峰值功放的輸入端相連，集總參數拓撲結構Ⅱ與集總參數拓撲結構Ⅲ串聯的電容電感具有相同的特性。

所述分路電橋與前級驅動功放的輸出端相連。

所述驅動功放和載波功放通過LDMOS放大管實現，并且偏置在AB類放大狀態(tài)。

所述負載由50歐姆電阻實現，與分路電橋的隔離端相連。

所述峰值功放通過LDMOS放大管實現，并且偏置在C類放大狀態(tài)。

所述載波功放輸入端和分路電橋的-90度輸出端相連，峰值功放輸入端和分路電橋的0度相移輸出端相連。

本實用新型有益的效果是：本實用新型結構能有效提高射頻功率放大器的效率，同時在前級驅動功放和末級功放的輸入端增加集總參數拓撲結構，可以大大增加功放的帶寬；改善功放的輸入駐波，降低級間匹配的難度，提高生產效率。

附圖說明

附圖1是本實用新型帶寬高效doherty原理框圖；

附圖2是本實用新型前級驅動功放原理框圖；

附圖3是本實用新型末級功放原理框圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明：

如圖所示，這種適用于低頻段的寬帶高效Doherty功放，主要包括前級驅動功放和末級功放，前級驅動功放由集總參數拓撲結構Ⅰ、驅動功放、分路電橋和負載組成，末級功放由集總參數拓撲結構Ⅱ、集總參數拓撲結構Ⅲ、載波功放、峰值功放和微帶線合路器組成，前級驅動功放工作在AB類偏置，這樣可以提高驅動功放的線性和效率性能，末級功放的載波功放工作在AB類偏置，并且采用對稱Doherty結構，峰值功放工作在C類偏置，大大提高末級功放在8dB回退時效率。驅動功放和末級功放都處于高效率工作狀態(tài)，實現對高峰均值比信號的高效率放大。同時在前級驅動功放和末級功放的輸入端增加集總參數拓撲結構，可以大大增加功放的帶寬、改善功放的輸入駐波。集總參數拓撲結構Ⅰ、集總參數拓撲結構Ⅱ和集總參數拓撲結構Ⅲ，均由電容、電感組成的串聯結構，集總參數拓撲結構Ⅰ與前級驅動功放的輸入端相連，集總參數拓撲結構Ⅱ、集總參數拓撲結構Ⅲ分別與末級的載波功放和峰值功放的輸入端相連，集總參數拓撲結構Ⅱ與集總參數拓撲結構Ⅲ串聯的電容電感具有相同的特性，保證載波功放和峰值功放輸入端幅度和相位一致。分路電橋與前級驅動功放的輸出端相連，將驅動功放的一路射頻信號分成兩路幅度相同，相位相差90度的射頻信號。負載由50歐姆電阻實現，與分路電橋的隔離端相連，用于吸收功率。