技術領域

本實用新型屬于太陽能電池制造領域，涉及一種SE電池分段式掩膜結構。

背景技術

在太陽能電池的眾多參數中，發射極是最能影響轉換效率的參數之一。適當提高方塊電阻可提高開路電壓和短路電流，但是在絲網印刷方式下，Ag（銀）電極與低表面摻雜濃度發射極的接觸電阻較大，最終會由于填充因子的下降從而引起轉換效率降低。為了同時兼顧開路電壓、短路電流和填充因子的需要，選擇性發射極電池，即SE結構太陽能電池是比較理想的選擇，即在電極接觸部位進行重摻雜，在電極之間位置進行輕摻雜。

傳統結構的太陽電池n+擴散層方阻一般在40-50Ω/□，而SE（selective?emitter選擇性發射極）結構的太陽電池的淺擴散方阻一般在80-100Ω/□，在電極下的重摻方阻則低于40Ω/□。

目前在太陽能電池制造領域，SE效果電池的制備方法多且成熟，包括激光摻雜法，有二次擴散法，硅墨法，刻蝕掩膜法等等，其中刻蝕掩膜法的一種具體制備工藝如下：

（1）制絨硅片形成光陷阱表面；

（2）在絨面上擴散摻雜形成PN結；?

（3）在擴散面上打印上起掩蔽作用的SE刻蝕掩膜漿料；

（4）在覆蓋掩膜的片子上覆蓋水膜；

（5）利用化學液去除硅片周邊和背面多余的PN結；

（6）在SE刻蝕掩膜漿料的掩蔽作用下，利用化學液對硅片表面進行刻蝕；

（7）去除SE刻蝕掩膜漿料；

（8）磷硅玻璃的去除；

（9）鍍氮化硅膜；

（10）印刷背面電極和背場；

（11）在SE刻蝕掩膜漿料掩膜對應位置處印刷正面電極；

（12）燒結，測試電性能；

其中步驟（3）中打印的SE刻蝕掩膜漿料圖形和步驟（11）中正面銀電極印刷的圖形是一樣的，一般采用H形,如圖1。其中，?在SE刻蝕掩膜漿料的保護下，該區域下達到重摻雜效果，使金屬電極與硅片形成良好的歐姆接觸，降低接觸電阻；而非SE刻蝕掩膜漿料保護區域被刻蝕達到輕摻雜的效果，提高短波響應和鈍化作用，從而提高短路電流和開路電壓。由此實現了選擇性發射極（SE-selectiveemiter）效果。

采用掩膜法制備SE電池在轉換效率上較常規電池一般有0.3%左右的提升，但其較常規電池的生產工藝多了打印和去除SE刻蝕掩膜漿料的工序，這使得SE刻蝕掩膜制備成為除去硅片、金屬漿料成本以外電池片制備成本的主要部分之一。由此可見，SE刻蝕掩膜圖形的設計十分重要，在保證轉換轉換效率的情況下，盡可能的減少SE刻蝕掩膜漿料耗量是刻蝕掩膜法制備SE電池的工藝重點。

目前SE刻蝕掩膜太陽能電池正面電極細柵線一般采用H形,如圖1（6為SE電池片，2為主柵線，1為細柵線）。現在已有很多SE刻蝕掩膜電極柵線圖形的設計，不斷調整掩膜柵線的長度、寬度以及分辨率等達到降本增效，但降低SE刻蝕掩膜漿料耗量的空間有限。

目前，SE刻蝕掩膜正面電極的細柵線與電池片本體的連接采用SE刻蝕掩膜漿料，SE刻蝕掩膜漿料的形狀以直通式為主。采用直通式的全連接不僅會增加后續金屬電極與半導體接觸層的復合，增加轉換效率損耗，同時增加了SE刻蝕掩膜漿料的耗量。

實用新型內容

為克服傳統SE電池制造工藝SE刻蝕掩膜漿料消耗量大，成本較高的技術缺陷，本實用新型提供一種SE電池分段式掩膜結構。

本實用新型所述SE電池分段式掩膜結構,包括細柵線電極，所述細柵線電極通過細柵線SE掩膜涂料層與電池片本體實現歐姆接觸，所述細柵線SE掩膜涂料層是由多個分段式SE掩膜涂料覆蓋區構成的分段式不連續形狀。

優選的，所述細柵線SE掩膜涂料層為間隔排列的長方形、正方形、圓形、橢圓形、竹節形中的一種；所述竹節形是由粗節和位于粗節兩端的細節構成的形狀。

優選的，所述每段分段式SE掩膜涂料覆蓋區的長度a相同，相鄰兩段分段式SE掩膜涂料覆蓋區的間距b相同，且a:b=100：1至1:200。

進一步的，所述細柵線為互相平行的直線，相鄰細柵線之間的間距相同；

在任意一段分段式SE掩膜涂料覆蓋區的中心點為圓心，b/2為半徑的圓上，該段分段式SE掩膜涂料覆蓋區所處細柵線的鄰近兩根細柵線上各自有兩段分段式SE掩膜涂料覆蓋區的中心點。

更進一步的，a:b=1：6.26。