1.一種用于測(cè)量雙極晶體管結(jié)電容的雙極晶體管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括多個(gè)尺寸相同且并聯(lián)的雙極晶體管，各所述雙極晶體管的基極并聯(lián)耦接于第一測(cè)試節(jié)點(diǎn)、集電極并聯(lián)耦接于第二測(cè)試節(jié)點(diǎn)、發(fā)射極并聯(lián)耦接于第三測(cè)試節(jié)點(diǎn)，通過(guò)所述第一測(cè)試節(jié)點(diǎn)和所述第二測(cè)試節(jié)點(diǎn)測(cè)量所述雙極晶體管陣列的基極-集電極結(jié)電容以獲得每個(gè)雙極晶體管的基極-集電極結(jié)電容，通過(guò)所述第二測(cè)試節(jié)點(diǎn)和所述第三測(cè)試節(jié)點(diǎn)測(cè)量所述雙極晶體管陣列的基極-發(fā)射極結(jié)電容以獲得每個(gè)雙極晶體管的基極-發(fā)射極結(jié)電容。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極晶體管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述雙極晶體管的基極、集電極和發(fā)射極均通過(guò)接觸孔由金屬連線分別從基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)引出，以耦接于所述第一測(cè)試節(jié)點(diǎn)、第二測(cè)試節(jié)點(diǎn)和第三測(cè)試節(jié)點(diǎn)。?

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙極晶體管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述雙極晶體管的集電區(qū)環(huán)繞所述基區(qū)，所述基區(qū)環(huán)繞所述發(fā)射區(qū)，所述雙極晶體管陣列中至少兩個(gè)雙極晶體管的集電極從相同的集電區(qū)引出。?

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙極晶體管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙極晶體管陣列中相鄰的所述雙極晶體管的集電極從相同的集電區(qū)引出，所述集電區(qū)在每一所述雙極晶體管的基區(qū)外環(huán)繞一圈。?

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙極晶體管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙極晶體管陣列中全部的所述雙極晶體管的集電極從同一個(gè)集電區(qū)引出，所述集電區(qū)在所述雙極晶體管陣列的基區(qū)外環(huán)繞一圈，所述雙極晶體管陣列中相鄰的所述雙極晶體管的基區(qū)之間通過(guò)隔離區(qū)隔開(kāi)。?