[發明專利]包含介孔中空硅顆粒的陽極以及制備介孔中空硅顆粒的方法有效
| 申請號： | 201310756811.X | 申請日： | 2013-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN104051714B | 公開（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發明（設計）人： | Q·肖;M·蔡 | 申請（專利權）人： | 通用汽車環球科技運作有限責任公司 |
| 主分類號： | H01M4/38 | 分類號： | H01M4/38;H01M4/134 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 韋欣華,權陸軍 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包含 中空 顆粒 陽極 以及 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種介孔、中空硅顆粒的制備方法，包括：
提供具有二氧化硅固體核和二氧化硅介孔殼的二氧化硅球，其中固體核保持致密和非多孔；
使用鎂蒸氣將所述二氧化硅介孔殼轉化為硅介孔殼；以及
去除所述二氧化硅固體核、任何殘留的二氧化硅以及任何含鎂副產物以形成所述介孔、中空硅顆粒。
2.權利要求1的方法，其中所述提供步驟包括用四乙氧基硅烷/致孔劑混合物和非多孔二氧化硅球形成所述二氧化硅球。
3.權利要求1的方法，其中所述轉化步驟是采用基于擴散公式t=x2/qiD的尺寸依賴反應實現的，其中：
t等于擴散時間；
x是平均擴散距離；
qi是數值常量，其對于一維擴散來說為2、對于二維擴散來說為4或對于三維擴散來說為6；以及
D是鎂原子的擴散系數。
4.權利要求1的方法，其中在620℃至680℃的溫度實現所述轉化步驟。
5.權利要求4的方法，其中在惰性環境下實現所述轉化步驟。
6.權利要求5的方法，其中所述惰性環境是氬氣。
7.權利要求1的方法，其中所述去除步驟是通過如下步驟實現的：
清洗其上具有硅介孔殼的二氧化硅固體核；和
將其上具有硅介孔殼的所述二氧化硅固體核暴露于酸蝕刻。
8.權利要求7的方法，其中：
所述清洗是用5wt%的醋酸溶液實現的；和
所述酸蝕刻是用1wt%的氫氟酸溶液實現的。
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